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光刻机成像分辨率
阿斯麦2000i
分辨率
答:
其分辨率是38nm
。阿斯麦DUV光刻机2000i型号的分辨率和阿斯麦DUV光刻机1980Di型号是相同的,都是支持到38nm的最大分辨率。它们都采用了相同的193nm的深紫光源,具有相同的光学及量产指标。DUV光刻机的分辨率是指在曝光过程中,能够清晰显示出的最小细节大小。因此,阿斯麦DUV光刻机2000i型号的分辨率为38n...
阿斯麦2000i
分辨率
答:
38nm
。根据查询科技指南官网得知,ASML的TWINSCANNXT:2000i型号是最先进的DUV浸润式光刻机之一,ASMLNXT:2000i+是一款采用128nmArF光源、NA1.35的高端光刻机,具有非常高的分辨率和精度,分辨率达到38nm。采用了先进的光学系统和精密的机械结构,能够实现非常高的光刻精度和稳定性。还具有非常高的生产效...
制作三纳米芯片的
光刻机
的
分辨率
是多少
答:
制作三纳米芯片的光刻机的分辨率是
13纳米
阿斯麦2000i
分辨率
答:
3. 该光刻机的分辨率可达到38nm
,得益于其先进的光学系统和精密的机械结构。4. 它还能实现高生产效率,每小时生产速度超过100片,从而显著提升芯片生产效率。
光刻分辨率
答:
根据数值孔径的
分辨率
的概念和计算公式NA=N*Sinα (公式2)R=K1*λ/NA (公式3)数值孔径NA(Numerical Aperture)是
光刻机
镜头能力的重要表征,数值越高其带来的分辨率R越高;N是光酸的浓度;K1是系数因子,与工艺的能力,设备的波长,数值孔径等的基本参数相关。当数值孔径为某个定值时通过公式2可以...
科普丨揭秘
光刻
技术:一束光的旅程究竟有多复杂?
答:
光刻机
的构造,如光源、投影镜等,共同决定了其性能指标:
分辨率
、套刻精度和生产效率。技术发展路径清晰可见,从UV光刻(>0.25μm)到干式DUV(0.65-0.35μm),再到浸入式DUV的革新。如今,Low-NA EUV专注于3-7nm制程,而High-NA EUV(0.33-0.55NA)则瞄准了未来的3nm以下极限,正处于研发...
中国国产的
光刻机
最小制程能达到多少?
答:
光刻机
的最小
分辨率
、生产效率、良率均在不断发展。 光刻机的最小分辨率由公示 R=kλ/NA,其中 R 代表可分辨的最小尺寸,对于光刻技术来说R 越小越好,k 是工艺常数,λ 是光刻机所用光源的波长。NA 代表物镜数值孔径,与光传播介质的折射率相关,折射率越大,NA 越大。光刻机制程工艺水平...
euv
光刻机
原理
答:
5.
光刻机
分为接触式对准的contact aligner和利用投影原理的stepper两种类型,后者能够产生比掩模板更小的曝光图案。6. 高端光刻机因其制造难度巨大而被誉为“现代光学工业之花”,全球仅有少数几家厂商能够生产。7. 高端投影式光刻机分为步进投影和扫描投影两种,
分辨率
在十几纳米至几微米之间,是世界...
光刻机
的品牌
答:
光刻机
的品牌众多,根据采用不同技术路线的可以归纳成如下几类:高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种,
分辨率
通常在十几纳米至几微米之间,高端光刻机号称世界上最精密的仪器,世界上已有7000万美金的光刻机。高端光刻机堪称现代光学工业之花,其制造难度之大,全世界只有少数几家公司...
光刻机
性能指标是什么?
答:
1、
光刻机
的主要性能指标有:支持基片的尺寸范围,
分辨率
、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。2、 分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。3、 对准精度是在多层曝光时...
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