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影响晶体生长的因素有哪些
影响晶体生长的因素有哪些
答:
温度、过饱和度
。1、温度:是晶体生长的关键因素之一,温度决定了晶体的结构和形态。2、过饱和度:决定了晶体生长的速度和稳定性。
影响晶体生长的因素有哪些
答:
影响晶体生长的因素有
杂质、搅拌、温度
。
影响晶体生长的因素有哪些
答:
温度:温度对晶体生长的影响主要体现在表面反应速率和扩散速率的变化上
。在较高温度下,表面反应速率有较大的提高,而扩散速率的增加则有限。同时,不同温度下同种物质的晶体可能呈现出不同的形态。
无机
晶体生长的
控制
因素有哪些
答:
溶液成分、温度
。1、溶液成分:溶液成分对晶体生长影响很大,溶液中的物质浓度、pH值、温度等参数都会影响晶体生长速率、晶体形态、晶体的化学组成等。2、温度:温度是晶体生长的重要因素之一,温度的变化会影响晶体生长速率、晶体结构、晶体形态和晶体的尺寸等。
影响晶体
性质的主要
因素
答:
影响晶体性质的主要因素:1.涡流 在生长着的晶体周围
,溶液中的溶质粘附于晶体上,其本身浓度降低以及晶体生长时放出的热量,使溶液比重减小。由于重力作用,则轻的溶液上升,而周围重的溶液补充进来,从而形成了涡流。在晶体生长时涡流向上,而溶解时则相反。涡流使溶液物质共给不均匀,有方向性,因而使...
影响晶体生长的
外部
因素
答:
晶体生长的形态主要是由晶体内部的结构决定的,因此晶体结构是决定晶体生长形态的内因,但是晶体在生长过程中所处的外界环境条件,也会对晶体的形态产生一定的影响。下面我们对
影响晶体生长的
几种主要外部
因素
分析如下。图2-9 生长介质流动方向对晶体生长的约束 (据陈光远等,1988)1—层理;2—剪切裂隙;...
影响
石膏
晶体生长的因素有哪些
答:
浓度不同,蒸发结晶。1、浓度不同。石膏晶体在溶液中生长时,由于溶液中各种离子浓度不同,
晶体生长
速度也不同,从而形成不同的晶体形态。2、蒸发结晶。在蒸发过程中,溶液中的矿物质逐渐浓缩,导致晶体生长速度变缓,从而形成不同的晶体形态。
影响晶体生长
形态的外因
答:
影响晶体外形的因素较多,而且不少因素还互有关联,而有的因素又有多方面的作用。总的说来,它们都是通过改变晶面间的相对生长速度而起作用的。图8-13 杂质对石盐晶体的影响 (1)
温度
。
在不同的温度下
,同种物质的晶体,其不同晶面的相对生长速度有所改变,影响晶体形态,如方解石(CaCO3)在较高...
单晶硅
生长的
三
要素
答:
1、
温度
:单晶硅生长过程中,恰当的温度是非常关键的因素。2、压力:在生长过程中,必须保持高真空状态。因为如果在高压下进行生长,则会影响晶体质量和生长速度。而在低压下,虽然可以提高生长速度。3、化学成分:单晶硅的生长过程中,需要使用氧化硅、氢氧化钠等化学物质,这些物质的含量和质量都会影响晶体...
晶体生长
理论基础
答:
P.居里等人利用这一理论解释了
晶体生长
过程中多面体外形的出现。然而,实际的晶体生长过程并不完全在平衡条件下进行。对于微米级别的晶体,表面能对外形仍有显著
影响
。但当晶体尺寸增大,表面能对控制外形的作用减弱,晶面生长速率的各向异性则成为决定性
因素
。这使得晶面生长动力学问题成为研究的核心内容。
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