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晶体管图示仪原理
晶体管
特性
图示仪
的
原理
答:
1.二极管伏安特性的测试
原理
流过二极管的电流I和二极管两端电压U的函数关系称为“二极管伏安特性”。本仪器通过显示“伏安特性曲线”来定量显示被测二极管的“伏安特性”。由二极管伏安特性曲线(正向区)可知,当我们将二极管两端的电压U由0逐渐增大时,二极管中的电流I会按照“二极管方程”的规律逐渐增大。...
晶体管图示仪
一般使用简介
答:
首先,"电压(v)/度"旋钮是一个17挡的旋钮,它用于选择
图示仪
x轴代表的变量和倍率。在测量输出特性时,应将其设置在VCE挡,而在测试输入特性时,则应调整至VBE挡。其次,"电流/度"旋钮具有22挡,用来选择Y轴的变量和倍率。在测试输出特性时,调整至Ic挡;而在测量输入特性时,应选择“基极电流或基...
晶体管
特性
图示仪
的构成
答:
晶体管特性图示仪主要由集电极扫描发生器
,基极阶梯发生器,同步脉冲发生器,X轴电压放大器,Y轴电流放大器,示波 管,电源及各种控制电路等组成. 各组成的主要作用如下:(1)集电极扫描发生器的主要作用,是产生集电极 扫描电压,其波形是正弦半波波形,幅值可以调节, 用于形成水平扫描线.(2)基极阶梯发生器的主...
测量场效应管和
晶体管
时,晶体管特性
图示仪
的设置有何不一样
答:
用晶体管图示仪测量场效应管时,其栅极是选电压信号,而漏极对应的是加电流信号
。由于电流比上电压,其传递函数(放大倍数)叫做跨导。对于晶体三极管的检测,其基极和集电极都加的是电流信号,因此它的放大倍数是一个无量纲的贝塔(B)(符号不好打)。
晶体管图示仪
怎样算三极管放大倍数、功率?
答:
X轴为电压,Y轴为集电极电流曲线为自下而上的不同基极电流下的放大特性最下0微安按幅度倍乘向上递高。曲线上某一点对应的IC[ma]/Ib[ua]即该管的放大倍数。
图示仪
不看功率。
晶体管图示仪
的一般使用简介
答:
此旋钮开关是一个具有4种偏转作用共22挡的旋钮开关,用来选择
图示仪
Y轴所代表的变量及其倍率。在测试小功率
晶体管
的输出特性曲线时,该旋钮置Ic的有关挡。测量输入特性时,该旋钮置“基极电流或基极源电压”挡(仪器面板上画有阶梯波形的一挡)。3.“峰值电压范围”开关和“峰值电压%”旋钮“峰值电压...
请问有谁会使用<
晶体管
特性
图示仪
>啊
答:
图A-25 XJ4810型半导体管特性
图示仪
右侧板 37. 二簇移位旋钮:在二簇显示时,可改变右簇曲线的位置,更方便于配对
晶体管
各种参数的比较。 38. Y轴信号输入:Y轴选择开关置外接时,Y轴信号由此插座输入。 39. X轴信号输入:X轴选择开关置外接时,X轴信号由此插座输入。 40. 校准信号输出端:1V、0.5V校准信号由...
晶体管图示仪
怎样测试三极管?
视频时间 01:09
晶体管图示仪
的一般参数简介
答:
荧光屏的刻度可以直接观测半导体管的共集电极,共基板和共发射极的输入特性,输出特征,转换特征,β参数以及α参数等,并可根据需要,测量半导体管的其他各项极限特性与击穿特性参数,如反向饱和电流Icbo,Iceo和各种击穿电压BVceo、BVcbo、BVebo等。可以从示波管的荧光屏上自动显示同一只半导体管的四种h参数,...
晶体管
特性
图示仪
测试二极管漏电流
答:
晶体管
特性
图示仪
测试二极管漏电流时限流电阻要根据电源电压、二极管的击穿电压、二极管的击穿电流等参数进行选择。电源电压U:是晶体管特性图示加到二极管和限流电阻上的电源电压,一般为三极管击穿电压的120%~200%。二极管的击穿电压URB:是二极管击穿时的电压,一般要比二极管参数上的耐压要高20%左右。二极管...
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