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晶体管在放大区的偏置条件是
双极型
晶体管
工作
在放大区的偏置条件是
答:
双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是:发射结正偏,集电结反偏
双极性晶体管:由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管,50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构:PNP型和NPN型。在这3层半导体中,中间一层称...
请写出
晶体管
分别工作
在放大区
,截止区和饱和区时,发射结和集电结的...
答:
放大状态条件:发射结正向偏置,集电结反向偏置
。晶体管工作在饱和区时,发射结正偏置、集电结正偏置。在晶体管中,除了自由电子在扩散过程中形成的电流外,还存在集电区和基区中的少数载流子相互漂移运动形成的饱和电流。集电区中的少数载流子是空穴,会在电场的作用下向基区扩散。基区中的少数载流子...
晶体三极管
工作
在放大区的条件
?
答:
晶体三极管工作在放大区内的条件是:发射结正偏,集电结反偏
。三极管的发射极加正向电压,集电极加反向电压导通后,IB控制IC,IC与IB近似于线性关系。三极管的三种状态也叫三个工作区域,即:截止区、放大区和饱和区。截止区,即三极管工作在截止状态,IB=0,IC几乎等于0,仅有极微小的反向穿透电流Iceo...
晶体管
起
放大
作用的外部
条件是
什么
答:
外部条件:对于NPN型管而备数余言发射极加上正向电压(正向偏置),集电极加反向电压(反向)偏置
,晶体管才能起到放大作用。VBB:保证发射结正向偏置;Rb:限制基极电流;Vcc:保证集电结反向偏置;Rc:将集电极电流的变化转毕做化成电压的变化。内部条件:扩散运动形成发射极电流IE,复合运动形成基极电流IB...
三极管
放大
器的基本
偏置条件
答:
条件就是:发射结正偏,集电结反偏
。不管NPN还是PNP都要如此
如何解释 镜像电流源三极管的基极与集电极电位相等而基极电流远小于集电 ...
答:
晶体管工作在在放大区的条件是:
发射结正向偏置,集电结反向偏置
。在共射电路中,Ube>Uon,Uce>=Ube。所以基极和集电极电位相等是可以的。既然可以工作在放大区,那么基级电流和集电极电流就满足Ic=β*Ib,即集电极电流是基级电流的β倍。
晶体管
输出特性*放大区*原理详细说说(只要
放大区的
)
答:
晶体管具有放大能力的外部条件是发射结正向偏置,集电结反向偏置
。在这种偏置条件下,发射区的多数载流子扩散到基区后,只有极少部分在基区被复合,绝大多数会被集电区收集后形成集电极电流。通过改变发射结两端的电压,可以达到控制集电极电流的目的。
晶体管处于放大
饱和截止倒置
的条件
什么
答:
饱和状态的条件是,发射结正向
偏置
,集电结也正向偏置。截止状态
的条件是
,发射结反向偏置,集电结也反向偏置。
三极管实现
放大
作用的内部结构条件和外部
偏置条件
有哪些?
答:
1.基区非常薄,掺杂浓度低;c,e区厚,掺杂浓度高 2.b,e加正向电压,c,e加反向电压;
偏置
的b,c极电流(Ib,Ic)
在放大区
要求的范围内。
晶体管
输出特性的三个工作
区域
及不同工作状态下发射结和集电结的状态...
答:
1)
在放大区
中,发射结电压为正向
偏置
并约固定在0.7V,而集电结则为反向偏置;2)在饱和区中,发射结电压为正向偏置并约固定在0.7V,而集电结则为正向偏置;3)在截止区中,发射结电压为正向偏置但是电压低于其导通电压0.7V,而集电结则为反向偏置;以NPN
管为
例,简单说就是 在放大区,Uc ...
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晶体管放大区的放大条件为
晶体管工作在放大区时的偏置状态为
晶体管处于放大区的条件是
晶体管放大区偏置状态
当npn型晶体管工作在放大区
使晶体管工作在放大状态
晶体管放大
由于晶体管具有放大作用
晶体管偏置电路