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电力晶体管的三个电极分别是
电力
电子技术复习题3.0(已补答案)
答:
2、双向晶闸管的图形符号是 ;
3个电极分别是第一阳极T1,第二阳极T2,门极G
。3、晶闸管在其阳极与阴极之间加上正向电压的同时,门极上加上触发电压,晶闸管就导通。4、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为控制角,用α表示。5、普通晶闸管的图形符号是 ...
晶闸管和
晶体管
有什么区别?
答:
晶闸管是PNPN四层半导体结构,
它有三个极:阳极、阴极和门极
。2、工作条件不同 晶体管利用电讯号来控制自身的开合,而且开关速度可以非常快。晶晶闸管工作条件为:加正向电压且门极有触发电流。3、应用领域不同 晶闸管被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。晶体管更多...
晶体管的
分类
答:
晶体管有三个极;双极性晶体管的三个极,
分别由N型跟P型组成发射极(Emitter)、基极 (Base) 和集电极(Collector)
;场效应晶体管的三个极,分别是源极(Source)、栅极(Gate)和漏极(Drain)。晶体管因为有三种极性,所以也有三种的使用方式,分别是发射极接地(又称共射放大、CE组态)、基极接地、集电极接地。最常用的用...
三极管和晶闸
管的
区别? 晶闸管导通具备哪些条件?关断有哪些条件? 晶闸管...
答:
一、在电力电子中,三极管通常称作电力晶体管(GTR),
它是由三层半导体(分别引出集电极C、基极B和发射集E)形成的两个PN结构成
,多采用NPN结构。而晶闸管(SCR)内部是PNPN四层半导体结构,分别命名为P1、N1、P2、N2四个区。P1区引出阳极A,N2区引出阴极K,P2区引出门集G。四个区形成三个PN结。所以...
IGBT是什么
答:
它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)
。特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。[编辑本段]模块简介 IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写,IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一...
电力晶体管的电力晶体管的
结构
答:
电力晶体管
(Giant Transistor)简称GTR又称BJT(Bipolar Junction Transistor),GTR和BJT这两个名称是等效的,结构和工作原理都和小功率晶体管非常相似。GTR由三层半导体、两个PN结组成。和小功率三极管一样,有PNP和NPN两种类型,GTR通常多用NPN结构。
电力晶体管的电力晶体管的
基本特性
答:
(1)静态特性共发射极接法时可分为
三个
工作区:① 截止区。在截止区内,iB≤0,uBE≤0,uBC<0,集
电极
只有漏电流流过。② 放大区。iB >0,uBE>0,uBC<0,iC =βiB。③ 饱和区。iB >Ics/β,uBE>0,uBC>0,iCS是集电极饱和电流,其值由外电路决定。结论:两个PN结都为正向偏置是饱和的...
GTR
电力晶体管
(GTR)
答:
电力晶体管
GTR是一种高性能的双极型大功率半导体元件,因其出色的功率处理能力,又被称为巨型晶体管。GTR由三层半导体材料构成,可以是PNP或NPN结构。制造过程中,通常在N+硅基底上生长N漂移层,接着扩散P基区和N+发射区,形成三重扩散结构,以优化电流分布和性能。GTR主要分为NPN和PNP两种类型,还包括...
绝缘栅双极
晶体管是
由什么和
电力晶体管
优点复合而成
答:
1、绝缘栅双极晶体管综合了
电力晶体管
和电力场效应
晶体管的
优点,具有良好的特性,应用领域很广泛;IGBT也是三端器件:栅极,集
电极
和发射极。2、绝缘栅双极晶体管综合了电力晶体管和电力场效应晶体管的优点,具有良好的特性,应用领域很广泛;IGBT也是三端器件:栅极,集电极和发射极。
请问功率
晶体管是
什么东西啊,是二极管吗,
答:
晶体管是
三极器件,而二极管是两极器件。功率晶体管包含
三个
主要的终端:基极(Base)、集
电极
(Collector)和发射极(Emitter),这与一般晶体管一致,区别主要在于它们能够通过集电极和发射极间传递较大的功率。而二极管由阳极(Anode)和阴极(Cathode)两个终端组成,主要用于允许电流在一个方向上流动(单...
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