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硅铝靶材做磁控溅射
硅铝靶材磁控溅射
做二氧化硅涂层需要具备哪些条件及参数
答:
磁控溅射
方法典型的工作条件为:溅射气压0.5Pa,靶电压600V,靶电流密度20mA/cm2,薄膜沉积速率2nm/min。
磁控溅射
靶材铝靶
,磁控溅射时靶材短路,开盖后发现靶材严重变形并且靶 ...
答:
磁控溅射
过程中,
靶材铝靶
短路、变形和溶穿可能是由以下几个原因造成的:1. 靶材过热:在磁控溅射过程中,靶材受到较高的能量输入。如果靶材的冷却不足,可能导致过热、变形和溶穿。要确保靶材得到适当的冷却,可以检查冷却系统是否正常工作,以及冷却水的流量和温度是否在规定范围内。2. 过高的功率:磁控...
磁控溅射
中的
靶材
分为金属合金靶和陶瓷靶,那像一些金属氧化物的靶材为...
答:
在
磁控溅射
中,
靶材
的分类不是根据其材料的类型,而是根据其物理结构和性质。金属合金靶材通常具有晶粒较大、密度较高、结构紧密等特点,适用于制备多种金属薄膜。陶瓷靶材则具有晶粒细小、密度相对较低、化学稳定性好等特点,适用于制备一些氧化物、氮化物等复杂材料的薄膜。可以说,金属氧化物靶材实际上是...
磁控溅射
二氧化
硅靶材
的过程中会有氧产生吗
答:
在
磁控溅射
二氧化硅(SiO2)
靶材
的过程中,不会产生氧气(O2)。磁控溅射是一种物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)技术,通过向靶材施加高能量粒子,如离子或电子,将靶材表面的原子或分子剥离,并沉积到基底上形成薄膜。在磁控溅射过程中,使用的靶材是SiO2,它主要由
硅
(Si)和氧(O)组成。...
什么是
溅射靶材
?
答:
磁控溅射
镀膜是一种新型的物理气相镀膜方式,就是用电子枪系统把电子发射并聚焦在被镀的材料上,使其被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离材料飞向基片淀积成膜。
溅射靶材
主要应用于电子及信息产业,如集成电路、信息存储、液晶显示屏 、激光存储器、电子控制器件等,亦可应用于玻璃镀膜领域,还...
什么是
磁控溅射
?
答:
磁控溅射
是一种物理气相沉积(PVD)工艺,属于真空沉积工艺的一种。这个过程需要一个高真空室来为溅射创造一个低压环境。首先将包含等离子体的气体(通常为氩气)进入腔室。在阴极和阳极之间施加高负电压以启动惰性气体的电离。来自等离子体的正氩离子与带负电的
靶材
碰撞。高能粒子的每次碰撞都会导致目标表面...
磁控溅射
中的
靶材
分为金属合金靶和陶瓷靶,那像一些金属氧化物的靶材为...
答:
但在工程和科学中,它们被分类为陶瓷。在
磁控溅射
中,这些陶瓷
靶材
用于生产特定的薄膜。例如,氧化锆靶可以用来在半导体设备中形成高介电常数的薄膜,而氧化铝靶则可以用来制造耐腐蚀和耐磨损的涂层。因此,虽然这些靶材是金属氧化物,但由于它们具有陶瓷的特性,所以我们称它们为陶瓷靶。
影响
磁控靶材溅射
电压的分析
答:
②常用的
靶材
(如铜 Cu、
铝
Al、钛 Ti)的正常溅射电压一般在 400~600V 的范围内.③ 有的难溅射的靶材(如锰Mn、铬Cr等)的溅射电压比较高,一般需>700V 以上才能完成正常
磁控溅射
过程;而有的靶材(如氧化铟锡 ITO)的溅射电压比较低,可以在 200多伏电压时实现正常的磁控溅射沉积镀膜.④ 实际镀模过程...
磁控溅射
一定要求
靶材
表面抛光吗
答:
溅射
过程不影响靶材合金、混合材质的比例和性质,所以如果是表面容易变质的靶材,如果不抛光去除表面变质部分,沉积到基材上的膜层性质就是表面变质的杂质。有一部分靶材在安装之前需要抛光,比如
铝靶材
等活性金属靶材,长期暴露在大气中,表面容易形成一层氧化皮,在直流脉冲、中频溅射过程中,离子撞击的能量...
真空电镀--
磁控溅射
镀膜技术
答:
真空,是低于一个大气压的无气环境,通过真空度衡量。TCO(透明导电氧化物)玻璃,如SnO2:F(氟掺杂氧化锡)、ZnO:Al(
铝
掺杂氧化锌)和In2O3:Sn(氧化铟锡)等材料,是现代科技中不可或缺的成分,其薄膜的制备工艺至关重要,包括优化气压、温度、功率和沉积速度等参数。总结来说,
磁控溅射
镀膜技术...
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