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芯片电源上的负载电容评估
晶振
的负载电容
和外接电容怎么区分?
答:
所谓负载,即从XTAL1(或者XTAL2)往外看,图示这个电路都是XTAL1(或者XTAL2)
的负载
,当负载不是纯电阻时,就包含有电容或电感元件,当中有看得见的电容,如C1、C2,及看不见的电容(在
芯片
内部及分布电容);所以简单说,外接电容是
负载电容
的一部分;这样说你明白了吗;...
如何计算
电容
?
答:
电容的计算公式为C=εS/d=εS/4πkd(真空)=Q/U
。电容的计算公式解析:一个电容器,如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏,这个电容器的电容就是1法拉,即:C=Q/U 。但电容的大小不是由Q(带电量)或U(电压)决定的,即电容的决定式为:C=εrS/4πkd 。其中,εr是相对介电常数...
芯片
设计中电迁移和IR压降的挑战和技术
答:
我们在信号/时钟网上观察到1155次电迁移违规。我们的max_cap为371fF负载,平均净长度为~640um。
电容负载
基于标准单元库中的默认值。这使得网络允许更多电流。APSDRC_net_210033的总电容:0.34327 APSDRC_net_210033的总长度:1345.995 16nm FF + 的IR压降 我们看到时钟单元周围的IR压降...
单片机
负载电容
过大或者过小,对单片机有什么影响?
答:
负载电容要按晶振要求
的负载电容
接,如果大于手册规定的电容量的话时钟电路启动时间会变长,小开手册规定的电容量的话会使时钟电路不稳定或不起振。表现形式为时钟输出信号会变的不连续(时断时续)。
电容
的单位是什么,有多少种类?
答:
电容的单位有uF、nF、pF 三个单位之间的倍率是1000.1微法(μF)= 1000纳法(nF)= 1000000皮法(pF);在国际单位制里,电容的单位是法拉,简称法,符号是F,由于法拉这个单位太大,所以常用
的电容
单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)等。
电容
单位,电容的单位有哪些?
答:
100nf=0.1uf。pF就是皮法,nF就是纳法。
电容
的单位有法拉,毫法,微法,纳法,皮法,具体单位换算如下:1法拉(F)= 1000毫法(mF)1毫法(mF)=1000微法(μF)1微法(μF)=1000纳法(nF)1纳法(nF)=1000皮法(pF)
晶振的老搭档
负载电容
要怎么搭配才好
答:
如常用的4MHz石英晶体谐振器,通常厂家建议的外接
负载电容
为10~30pF左右。若取中心值15pF,则C1,C2各取30pF可得到其串联等效电容值15pF。同时考虑到还另外存在的电路板分布电容,
芯片
管脚电容,晶体自身寄生电容等都会影响总电容值,故实际配置C1,C2时,可各取20~15pF左右。并且C1,C2使用瓷片电容...
...
芯片的电源
输入端的去耦
电容
需要多大?已知振荡频率是5MHz。多谢...
答:
0.1uF(104)的X7R就足够了。但如果同一个
电源上
有大功率低频
负载
,就应该在104的基础上加100uF的电解
电容
。
单片机STC89C52的晶振边上加的
电容
容值可以大吗
答:
不可以用400nF的电容,400nF是30pF的13333倍的容量,如果你用400nF,那么,你的晶振会不起振的,导致整个系统没法工作,这个30pF
的电容
,的范围是10---100pF。如果你实在没有30pF电容,也可以不用焊接这两个电容,晶振也能工作,只是不稳定,但是,如果你接400nF电容,就彻底不工作了。其实网上X...
51单片机晶振上接的
电容
如何选择
答:
= Cg 也是可以的,Cd、Cg称作匹配电容或外接电容,其作用就是调节负载电容使其与晶振的要求相一致,需要注意的是Cd、Cg串联后的总电容值(Cd*Cg/(Cd+Cg))才是有效
的负载电容
部分,假设Cd==Cg==30pF,那么Cd、Cg对负载电容的贡献是15pF。Cic:
芯片
引脚分布电容以及芯片内部电容(部分芯片为了在...
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