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锗二极管的死区电压是多少
锗二极管的死区电压是多少
答:
锗二极管的死区电压约为0.10.3V
。死区电压指的是即使加正向电压,也必须达到一定大小才开始导通,这个阈值叫死区电压。对于锗二极管而言,其死区电压大约在0.10.3V之间。当正向电压超过死区电压后,锗二极管的电阻会变得很小,电流会迅速增长。
锗
材料
二极管死区电压为多少
伏
答:
锗材料二极管的正向导通死区电压约为0.2V不到
,一般导通后的压降按0.2V计算;硅材料二极管的正向导通死区电压约为0.6V,通后的压降按0.7V计算。
[选择题]
锗二极管的
导通电压为(),
死区电压为
(),硅二极管的导通电压为...
答:
锗二极管导通电压为0.1V-0.3V,一般取0.2V,
死区电压为0.1V左右
;硅二极管导通电压为0.5V-0.8V,一般取0.7V,死区电压为0.5V左右。——以上出自《模拟电子技术》故填CDAB
锗
管
死区电压是
0.1还是0.2?
答:
当
二极管
正向电压很低时,外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动所形成的阻力,此时正向电流很小,二极管呈现很大的电阻。当正向电压超过一定数值(硅管约0.5V,
锗
管约0.1V)后,二极管电阻变得很小,电流增长很快。这个电压往往称
死区电压
。http://baike.baidu.com/view/1279331.htm ...
比较硅二极管与
锗二极管的死区电压
、正向管压降、反向电流及反向电阻...
答:
硅二极管的死区电压一般为0.7V,
而锗二极管的死区电压一般为0.3V
。正向管压降硅二极管一般为0.7V,而锗二极管一般为0.3V。反向电流硅二极管一般为几微安到几毫安,而锗二极管一般为几毫安到几十毫安。反向电阻硅二极管一般为几十兆欧姆,而锗二极管一般为几百兆欧姆。因此,在这些参数方面,硅二极管...
...
锗为
主要材料制成的
二极管
,分别
的死区电压
、导通
电压为多少
?_百度...
答:
正向加电压时,如果是P型半导体,空穴参加导电,N型半导体电子参与导电。硅为主要材料制成的二极管,死区电压0.6V左右、导通电压为0.7V左右。锗为主要材料制成的二极管,死区电压0.2V左右、导通电压为
0.3V
左右。
什么是
二极管的死区电压
?为什么会出现死区电压
答:
由于外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力,故正向电流很小,几乎为零;当正向电压超过一定数值后,内电场被大大削弱,电流增长很快。这个一定数值的正向电压称为死区电压;其大小与材料及环境温度有关。通常
锗
管
的死区电压
约为0.2 V,硅管的死区电压约为0.5 V。
锗二极管的
导通
电压是多少
?
答:
锗二极管导通电压为0.1V-0.3V,一般取0.2V,
死区电压为0.1V左右
。对于锗二极管 ,开启电压为0.2V,导通电压UD约为0.3V。锗二极管就是用锗材料制作的二极管。几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。锗二极管...
二极管的死区电压是多少
?
答:
对于硅二极管,
死区电压
通常在0.5到0.7伏特之间,最常见的数值是约0.6伏特。这个范围可以根据制造工艺、温度和其他因素而略有不同。对于
锗二极管
,其死区电压较低,一般在0.2到0.3伏特之间。需要注意的是,在实际应用中,
二极管的
压降会因二极管类型(例如普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管等)、...
一般硅、
锗二极管的死区电压为多少
?导通电压后又是多少
答:
一般大略估算是按照
锗
管0.12~0.2V,硅管0.5~0.7V。但是实际
二极管
并不理想,不是按照某一个
电压
分解导通与否,而是一个随着电压增加逐渐导通的指数曲线。下面是1N4007硅二极管实际电压和正向电流关系,差不多电流每增加10倍,电压增加0.1V:uA量级——0.4V;mA量级——0.7V;A量级——1V...
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