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磁控溅射靶材利用率
在一般的
磁控溅射
过程中,
溅射靶材
的温度会达到多高?且溅射腔室内部,靠...
答:
溅射靶材
的温度取决于能量的高低,举例:-1气压,功率5KW,偏压0。靶材表面温度为200度左右,基片温度不会高于100度~如果上升到10Kw,靶材表面温度会接近400度,基片会达到150度左右,我说的基片距离靶材有10厘米左右~此时热量为热辐射传热,离靶材远的地方辐射相对小,温度就低一点~
磁控溅射
法的优势特点
答:
目前最常用的制备CoPt磁性薄膜的方法是
磁控溅射
法。氩离子被阴极加速并轰击阴极靶表面,将
靶材
表面原子溅射出来沉积在基底表面上形成薄膜。通过更换不同材质的靶和控制不同的溅射时间,便可以获得不同材质和不同厚度的薄膜。磁控溅射法具有镀膜层与基材的结合力强、镀膜层致密、均匀等优点。
磁控溅射
镀膜设备的工作原理是什么?
答:
来增加电子的电离概率,更好地使电子的能量
利用
更有效,这便是
磁控溅射
技术的"高速"和"低温"的特性机理.设备始于1974年时J. chapin的研发成果,当时磁控溅射镀膜设备一经研发,其相较于别的镀膜工艺显得优越性较为突出,设备适用范围极广,可在任何基材上镀上任何物料的膜层....
磁控溅射
的原理
答:
磁控溅射
的工作原理是指电子在电场E的作用下,在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞,使其电离产生出Ar正离子和新的电子;新电子飞向基片,Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使
靶材
发生溅射。在溅射粒子中,中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜,而产生的二次电子会受到电场和...
磁控溅射
是直流还是射频?
答:
初始电子加速碰撞Ar形成氩离子和另一个电子 (α过程),而氩离子在电场作用下加速碰撞阴极 (
靶材
)也会形成二次电子发射 (γ过程),当放电达到稳定后进入辉光放电阶段。射频
磁控溅射利用
的是射频放电,带电粒子在电极间往复震荡并相互碰撞电离,电极无需与等离子体接触也能维持放电。
本底真空对
磁控溅射
的影响?
答:
磁控溅射
,磁场控制的二级溅射。原理是将
靶材
周围的气体电离化,形成等离子体,在等离子体环境中溅射过程。属于气体放电范畴。优质的膜层需要控制膜层的稳定性和均匀性,而体现在控制方面,则表现为:磁场、气场、电源。1.磁场的稳定:靶芯的磁场的均匀性。2.气场的稳定:稳定的抽气和进气系统。3.电源的...
溅射靶材
时靶材表面一定要做抛光的吗?这个有什么区别啊?
答:
磁控溅射
过程中,等离子体的离子撞击
靶材
,溅射出靶材的原子、原子团、离子、电子、光子等,原子、离子、原子团沉积到基材上形成薄膜。溅射发生在靶材表面,靶材表面物理状态不均匀也没有关系,溅射的时候会先溅射凸起,溅射时间长了,靶材自己就平了。所以物理不均匀的状态不需要抛光。溅射过程不影响靶材合金...
硅铝
靶材磁控溅射
做二氧化硅涂层需要具备哪些条件及参数
答:
磁控溅射
方法典型的工作条件为:溅射气压0.5Pa,靶电压600V,靶电流密度20mA/cm2,薄膜沉积速率2nm/min。
怎样用Fe2O3为
靶材磁控溅射
Fe3O4薄膜
答:
四氧化三铁有磁性,作为
靶材
磁场难从后面透出来,
溅射率
太低~
磁控溅射
一定要求
靶材
表面抛光吗
答:
磁控溅射
过程中,等离子体的离子撞击
靶材
,溅射出靶材的原子、原子团、离子、电子、光子等,原子、离子、原子团沉积到基材上形成薄膜。溅射发生在靶材表面,靶材表面物理状态不均匀也没有关系,溅射的时候会先溅射凸起,溅射时间长了,靶材自己就平了。所以物理不均匀的状态不需要抛光。溅射过程不影响靶材合金...
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