中国光刻技术落后国外15-20年，差距在哪些具体环节？

Question

如题所述

Answer 1

中国光刻技术与国际先进水平的差距显著，据中科院微电子所院士刘明在2019中国集成电路设计大会上的表述，这一差距大约在15到20年之间。在光刻技术这一关键领域，我国虽然在EUV光源、多层膜、掩膜、光刻胶以及超光滑抛光技术等方面有所突破，但总体技术实力与发达国家仍存在明显差距。刘明院士指出，我国的EUV光刻机技术目前只能达到90nm工艺，而荷兰ASML公司的顶尖设备已经可以实现7nm甚至更小的工艺，这对于高端芯片制造至关重要。在28nm以下的工艺制程，我国仍需依赖进口ASML的光刻机来满足需求。因此，提升光刻技术，缩小与国际的差距，是中国半导体产业亟待解决的重大问题。