三极管的主要参数：
特征频率：当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作。
fT称作增益带宽积，即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数，便可得出特征频率fT。随着工作频率的升高，放大倍数会下降．fT也可以定义为β=1时的频率。
电压/电流：用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。
hFE：电流放大倍数。
VCEO：集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压。
PCM：最大允许耗散功率。
封装形式：指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现。
扩展资料：
电流放大的结构及原理：
1、电路结构
电流放大器电路拓扑结构可以为电压、电流在第一象限的Buck 电路，也可以采用电流单向流动、电压双象限的H 桥式电路，也可以采用四象限H 桥式电路，其拓扑电路结构如图2(a)～图2(c)所示。这三种电路结构针对不同应用场合灵活选取。
2、基本原理
电流放大器采用输出电流闭环控制，影响电流输出响应速度的主要因素是阻感性负载的时间常数Te= L/RL，当此时间常数较大时，输出电流响应难以提高。因此，提高电流放大器响应速度的主要措施就是减小被控对象的等效时间常数。
参考资料来源：百度百科——三极管
参考资料来源：百度百科——电流放大器
1、电压/电流：用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围
2、hFE：电流放大倍数
3、VCEO：集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压
4、PCM：最大允许耗散功率
5、封装形式：指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现
扩展资料
三极管的发现历史：
1947年12月23日，美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里，3位科学家——巴丁博士、布莱顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。他们在导体电路中正在进行用半导体晶体把声音信号放大的实验。
这个器件，就是在科技史上具有划时代意义的成果晶体管。因它是在圣诞节前夕发明的，而且对人们未来的生活发生如此巨大的影响，所以被称为“献给世界的圣诞节礼物”。这3位科学家因此共同荣获了1956年诺贝尔物理学奖。
参考资料来源：百度百科-三极管
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fT称作增益带宽积，即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数，便可得出特征频率fT。随着工作频率的升高，放大倍数会下降．fT也可以定义为β=1时的频率． 三极管的脚位判断，三极管的脚位有两种封装排列形式，如右图：三极管是一种结型电阻器件，它的三个引脚都有明显的电阻数据，测试时（以数字万用表为例，红笔+，黒笔-）我们将测试档位切换至 二极管档 （蜂鸣档）标志符号如右图：正常的NPN结构三极管的基极（B）对集电极（C）、发射极（E）的正向电阻是430Ω-680Ω（根据型号的不同，放大倍数的差异，这个值有所不同）反向电阻无穷大；正常的PNP 结构的三极管的基极（B）对集电极（C）、发射极（E）的反向电阻是430Ω-680Ω，正向电阻无穷大。集电极C对发射极E在不加偏流的情况下，电阻为无穷大。基极对集电极的测试电阻约等于基极对发射极的测试电阻，通常情况下，基极对集电极的测试电阻要比基极对发射极的测试电阻小5-100Ω左右（大功率管比较明显），如果超出这个值，这个元件的性能已经变坏，请不要再使用。如果误使用于电路中可能会导致整个或部分电路的工作点变坏，这个元件也可能不久就会损坏，大功率电路和高频电路对这种劣质元件反应比较明显。
尽管封装结构不同，但与同参数的其它型号的管子功能和性能是一样的，不同的封装结构只是应用于电路设计中特定的使用场合的需要。
要注意有些厂家生产一些不规范元件，例如C945正常的脚位是BCE，但有的厂家出的此元件脚位排列却是EBC，这会造成那些粗心的工作人员将新元件在未检测的情况下装入电路，导致电路不能工作，严重时烧毁相关联的元器件，比如电视机上用的开关电源。
在我们常用的万用表中，测试三极管的脚位排列图：
先假设三极管的某极为“基极”,将黑表笔接在假设基极上,再将红表笔依次接到其余两个电极上,若两次测得的电阻都大(约几K到几十K),或者都小(几百至几K),对换表笔重复上述测量,若测得两个阻值相反(都很小或都很大),则可确定假设的基极是正确的,否则另假设一极为“基极”,重复上述测试,以确定基极.
当基极确定后,将黑表笔接基极,红表笔笔接其它两极若测得电阻值都很少,则该三极管为PNP,反之为NPN
判断集电极C和发射极E,以NPN为例:
把黑表笔接至假设的集电极C,红表笔接到假设的发射极E,并用手捏住B和C极,读出表头所示C,E电阻值,然后将红,黑表笔反接重测.若第一次电阻比第二次小,说明原假设成立. 晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，
从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。
发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电结。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
三极管的封装形式和管脚识别
常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，
底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。
国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。 截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。
放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。
饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。
根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。 三极管基极的判别：根据三极管的结构示意图，我们知道三极管的基极是三极管中两个PN结的公共极，因此，在判别三极管的基极时，只要找出两个PN结的公共极，即为三极管的基极。具体方法是将多用电表调至电阻挡的R×1k挡，先用红表笔放在三极管的一只脚上，用黑表笔去碰三极管的另两只脚，如果两次全通，则红表笔所放的脚就是三极管的基极。如果一次没找到，则红表笔换到三极管的另一个脚，再测两次；如还没找到，则红表笔再换一下，再测两次。如果还没找到，则改用黑表笔放在三极管的一个脚上，用红表笔去测两次看是否全通，若一次没成功再换。这样最多没量12次，总可以找到基极。
三极管类型的判别： 三极管只有两种类型，即PNP型和NPN型。判别时只要知道基极是P型材料还N型材料即可。当用多用电表R×1k挡时，黑表笔代表电源正极，如果黑表笔接基极时导通，则说明三极管的基极为P型材料，三极管即为NPN型。如果红表笔接基极导通，则说明三极管基极为N型材料，三极管即为PNP型。 基本放大电路是放大电路中最基本的结构，是构成复杂放大电路的基本单元。它利用双极型半导体三极管输入电流控制输出电流的特性，或场效应半导体三极管输入电压控制输出电流的特性，实现信号的放大。本章基本放大电路的知识是进一步学习电子技术的重要基础。
基本放大电路一般是指由一个三极管或场效应管组成的放大电路。从电路的角度来看，可以将基本放大电路看成一个双端口网络。放大的作用体现在如下方面：
1．放大电路主要利用三极管或场效应管的控制作用放大微弱信号，输出信号在电压或电流的幅度上得到了放大，输出信号的能量得到了加强。
2．输出信号的能量实际上是由直流电源提供的，只是经过三极管的控制，使之转换成信号能量，提供给负载。
共射组态基本放大电路的组成
共射组态基本放大电路是输入信号加在基极和发射极之间，耦合电容器C1和Ce视为对交流信号短路。输出信号从集电极对地取出，经耦合电容器C2隔除直流量，仅将交流信号加到负载电阻RL之上。放大电路的共射组态实际上是指放大电路中的三极管是共射组态。
在输入信号为零时，直流电源通过各偏置电阻为三极管提供直流的基极电流和直流集电极电流，并在三极管的三个极间形成一定的直流电压。由于耦合电容的隔直流作用，直流电压无法到达放大电路的输入端和输出端。
当输入交流信号通过耦合电容C1和Ce加在三极管的发射结上时，发射结上的电压变成交、直流的叠加。放大电路中信号的情况比较复杂，各信号的符号规定如下：由于三极管的电流放大作用，ic要比ib大几十倍，一般来说，只要电路参数设置合适，输出电压可以比输入电压高许多倍。uCE中的交流量 有一部分经过耦合电容到达负载电阻，形成输出电压。完成电路的放大作用。
由此可见，放大电路中三极管集电极的直流信号不随输入信号而改变，而交流信号随输入信号发生变化。在放大过程中，集电极交流信号是叠加在直流信号上的，经过耦合电容，从输出端提取的只是交流信号。因此，在分析放大电路时，可以采用将交、直流信号分开的办法，可以分成直流通路和交流通路来分析。
放大电路的组成原则：
1．保证放大电路的核心器件三极管工作在放大状态，即有合适的偏置。也就是说发射结正偏，集电结反偏。
2．输入回路的设置应当使输入信号耦合到三极管的输入电极，形成变化的基极电流，从而产生三极管的电流控制关系，变成集电极电流的变化。
3．输出回路的设置应该保证将三极管放大以后的电流信号转变成负载需要的电量形式（输出电压或输出电流）。 中间横线是基极B，另一斜线是集电极C，带箭头的是发射极E。
：
国产半导体器型号的命名方法（摘自国家标准GB249_74） 型号组成 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用阿拉伯数字表示器件电极数 用字母表示器件的材料和极性 用汉语拼音字母表示器件类型 用数字表示器件序号 用汉语拼音字母表示规格 符号及意义 2 二极管 A N型锗材料 P 普通管 B P型锗材料 V 微波管 C N型硅材料 W 稳压管 D P型硅材料 C 参量管 3 三极管 A PNP锗材料 Z 整流管 B NPN锗材料 L 整流管 C PNP型硅材料 S 隧道管 D NPN型硅材料 N 阻尼管 E 化合物材料 U 光电器件 K 开关器 X 低频小功率管 G 高频小功率管 D 低频大功率管 A 高频大功率管 T 半导体闸流管 Y 体效应器件 B 雪崩管 J 阶跃恢复管 CS 场效应器 BY 半导体特殊器件 FH 复合管 PIN PIN型管 JG 激光器件 1.首先要进行参数对比，如果不知道参数可以先在网络搜索他的规格书。
2.知道参数，尤其是BVCBO,BVCEO,BVEBO,HFE,ft,VCEsat参数。通过各个参数的 比较，找相似的产品。即使知道了参数以后也不好找，一些书籍都过时了，没有收集新的产品进去。
直插封装的型号 贴片的型号 极性 Ft VCEO Ic hfe 配对型号
9011 1T NPN 150MHz 18V 100mA 28~132
9012 2T PNP 150MHz 25V 500mA 64~144 9013
9013 J3 NPN
9014 J6 NPN 150MHz 18V 100mA 60~400 9015
9015 M6 PNP
9016 Y6 NPN 500MHz 20V 25mA 28~97
9018 J8 NPN 700MHZ 12V 100mA 28~72
S8050 J3Y NPN 100MHz 25V 1.5A 45~300 S8550
S8550 2TY PNP
8050 Y1 NPN 100MHz 25V 1A 85~300 8550
8550 Y2 PNP
2SA1015 BA PNP
2SC1815 HF NPN 80MHz 50V 150mA 70~700 1015
2SC945 CR NPN 250MHz 50V 100mA 200~600
2SA733 CS
MMBT3904 1AM NPN 300MHz 60V 100mA 300@10mA 3906
MMBT3906 2A PNP
MMBT2222 1P NPN 250MHz 60V 600mA 100@150mA
MMBT5401 2L PNP 100MHz 150V 500mA 40~200 5551
MMBT5551 G1 NPN
MMBTA42 1D NPN 50MHz 300V 100mA 40@10mA
MMBTA92 2D PNP
BC807-16 5A PNP
BC807-25 5B PNP 80MHz 45V 500mA 250@100mA BC817-25
BC807-40 5C PNP 80MHz 45V 500mA 250@100mA BC817-40
BC817-16 6A NPN
BC817-25 6B NPN
BC817-40 6C NPN
BC846A 1A NPN 250MHz 65V 100mA 140 BC856
BC846B 1B NPN 250
BC847A 1E NPN 45V BC857
BC847B 1F
BC847C 1G NPN 420~800
BC848A 1J NPN 30V
BC848B 1K
BC848C 1L
BC856A 3A PNP
BC856B 3B
BC857A 3E
BC857B 3F
BC858A 3J
BC858B 3K
BC858C 3L
2SC3356 R23 NPN 7GHz 20V 100mA 50~300
2SC3838 AD
带反向二极管的N沟道FET
2N7002 702 40V 400mA
BSS138 50V 200mA
下面是带电阻的三极管
UN2111 V1 NNP 150MHz 50V 100mA
UN2112 V2
UN2113 V3
UN2211 V4
UN2212 V5
UN2213 V6
在共射极放大电路中，若交流输入信号为零，则管子各极间的电压和电流都是直流量，此时的集电极电流IC和基极电流IB的比就是 ， 称为共射直流电流放大系数。
当共射极放大电路有交流信号输入时，因交流信号的作用，必然会引起IB的变化，相应的也会引起IC的变化，两电流变化量的比称为共射交流电流放大系数β，即
（5-6）
上述两个电流放大系数 和β的含义虽然不同，但工作在输出特性曲线放大区平坦部分的三极管，两者的差异极小，可做近似相等处理，故在今后应用时，通常不加区分，直接互相替代使用。
由于制造工艺的分散性，同一型号三极管的β值差异较大。常用的小功率三极管，β值一般为20～100。β过小，管子的电流放大作用小，β过大，管子工作的稳定性差，一般选用β在40～80之间的管子较为合适。
2、极间反向饱和电流ICBO和ICEO
（1）集电结反向饱和电流ICBO是指发射极开路，集电结加反向电压时测得的集电极电流。常温下，硅管的ICBO在nA（10-9）的量级，通常可忽略。
（2）集电极-发射极反向电流ICEO是指基极开路时，集电极与发射极之间的反向电流，即穿透电流，穿透电流的大小受温度的影响较大，穿透电流小的管子热稳定性好。
3、极限参数
（1）集电极最大允许电流ICM
晶体管的集电极电流IC在相当大的范围内β值基本保持不变，但当IC的数值大到一定程度时，电流放大系数β值将下降。使β明显减少的IC即为ICM。为了使三极管在放大电路中能正常工作，IC不应超过ICM。
（2）集电极最大允许功耗PCM
晶体管工作时、集电极电流在集电结上将产生热量，产生热量所消耗的功率就是集电极的功耗PCM，即
PCM=ICUCE （5-7）
功耗与三极管的结温有关，结温又与环境温度、管子是否有散热器等条件相关。根据5-7式可在输出特性曲线上作出三极管的允许功耗线，如图5-8所示。功耗线的左下方为安全工作区，右上方为过损耗区。
手册上给出的PCM值是在常温下25℃时测得的。硅管集电结的上限温度为150℃左右，锗管为70℃左右，使用时应注意不要超过此值，否则管子将损坏。
（3）反向击穿电压UBR（CEO）
反向击穿电压UBR（CEO）是指基极开路时，加在集电极与发射极之间的最大允许电压。使用中如果管子两端的电压UCE＞UBR（CEO），集电极电流IC将急剧增大，这种现象称为击穿。管子击穿将造成三极管永久性的损坏。三极管电路在电源EC的值选得过大时，有可能会出现，当管子截止时，UCE＞UBR（CEO）导致三极管击穿而损坏的现象。一般情况下，三极管电路的电源电压EC应小于1/2 UBR（CEO）。
4、温度对三极管参数的影响
几乎所有的三极管参数都与温度有关，因此不容忽视。温度对下列的三个参数影响最大。
（1）对β的影响：
三极管的β随温度的升高将增大，温度每上升l℃，β值约增大0.5～1％，其结果是在相同的IB情况下，集电极电流IC随温度上升而增大。
（2）对反向饱和电流ICEO的影响：
ICEO是由少数载流子漂移运动形成的，它与环境温度关系很大，ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃，ICEO将增加一倍。由于硅管的ICEO很小，所以，温度对硅管ICEO的影响不大。
（3）对发射结电压ube的影响：
和二极管的正向特性一样，温度上升1℃，ube将下降2～2.5mV。
综上所述，随着温度的上升，β值将增大，iC也将增大，uCE将下降，这对三极管放大作用不利，使用中应采取相应的措施克服温度的影响。
MJE 系列晶体管系列晶体管 MJE13007系列晶体管系列晶体管
●●应用应用:节能灯节能灯 电子镇流电子镇流 电子变压电子变压 开关电源开关●最大额定值●最大额定值 （（Tc=25°°C )● TO-220
参数 符号 额定值 单位
基极电压 VCBO 700 V
集电极-发射极电压 VCEO 400 V
集电极IC 8.0 A
集电极耗散功率 PC 90 W
最高工作温度 Tj 150 °C
贮存温度 Tstg -65-150 °C ●电特性●电特性 （（Tc=25°°C）
参数名称 符号 测试条件 最小值 最大值 单位
CHARACTERISTICS SYMBOL TEST CONDITION MIN MAX UNIT
集电极-基极截止电流ICBO VCB=700V 100 μA
Collector-Base Cutoff Current
集电极-发射极截止电流 I V =400V,I =0 250 μA
Collector-Emitter Cutoff Current CEO CE B 集电极-发射极电压 V I =10mA,I =0 400 V
发射极 -基极电压 V I =1mA,I =0 9 V
Emitter- Base Voltage EBO E C 集电极-发射极饱和电压 I =2.0A,I =0.4A 0.4
C B
Collector-Emitter Saturation Vcesat V
I =8.0A,I =2.0A 1.5
Voltage C B
发射极-基极饱和电压 Vbesat I =2A,I =0.4A 1.5 V
Base-Emitter Saturation Voltage C B V =5V,I =10mA 7 CE C
电流放大倍数 h V =5V,I =2.0A 10 40
DC Current Gain FE CE C V =5V,I =8A 5 CE C 贮存时 tS 4.0 9.0
Storage Time V =5V,I =0.5A CC C μS
下降时 (UI9600) tf 0.8