三极管和MOS管的区别：
1、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。
2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。
3、功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。
4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
扩展资料：
产品参数
特征频率
当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作。
fT称作增益带宽积，即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数，便可得出特征频率fT。随着工作频率的升高，放大倍数会下降．fT也可以定义为β=1时的频率。
电压/电流
用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。
hFE
电流放大倍数。
VCEO
集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压。
PCM
最大允许耗散功率.
封装形式
指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现。
工作状态
截止状态
当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。
放大状态
当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。
饱和导通
当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。
三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。
根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。
参考资料来源：百度百科-三极管
参考资料来源：百度百科-mos管
功率管与三极管的区别：
1、在所涉及的范围上不同:半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流 放大和开关作用。而功率管是三极管分类中的一种分类，所涉及的范围是很小的，只是作为三极管的一个分支。
2、在原理上不同:双极型半导体三极管在原理上是输入电流控制输出电流的特性，或场效应半导体三极管输入电压控制输出电流的特性，实现信号的放大。而功率管在原理上仅仅是作为一个双网络，然后输出电压。
3、在使用上不同:功率的使用是通过放大和利用三极管的电流放大原理将电源的能量转化成需要的能量形式（模拟、数字等）。而三极管的使用是需要通过两个极管来发挥它的作用。
扩展资料：
在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源了；
由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流子。
由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.
参考资料：功率管-百度百科
参考资料: 三极管-百度百科
1、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.
2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。
3、功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。
4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
简介：
一、三极管：
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
二、MOS管：
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压Mos管。
用万用表的二极管档（或1k~10k电阻档）测量，三极管的发射极和集电极都对基极单向导通，而发设计和集电极之间互不导通；利用这一点可以确定是否三极管以及类型（PNP管或NPN管）；场效应管则比较复杂，增强型和耗尽型的特点都不一样，但是栅极对源极和漏极一定是不导通的，MOS管也一样，MOS管也是场效应管的一种，只是输入阻抗更高而已。
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。