其一集电极最大允许电流ICM，使用晶体不得超过此电流值；其二集电极—发射极击穿电压BUceo，即基极开路时，加于集电极与发射极的最大允许电压。否则导致管子击穿。其三集电极最大允许耗散功率PM，由于集电极电流在集电极产生热量，使结温升高，超过这一功耗，晶体管可能损坏。
晶体三极管有两个pn结： 发射结和收集结； 分为3个区： 发射区、基区和集电区； 对应引出的3个电极分别称为发射极、基极和集电极； 基区在制作上要比其他两区薄得多，发射区的掺杂要比基区重得多。
在npn型晶体管工作时，发射极加正向偏置，使发射结势垒降低，发射区的电子源源不断地越过pn结注入基区，形成发射电流Ie，这个过程发射区电子的扩散运动起主导作用。
扩展资料
影响击穿电压的因素主要有：
(1) 电极的形状 ，电极的曲率半径越小，击穿电压越低，越容易放电。
(2)电极的极性，棒状电极对平板电极放电时，当棒状电极带负电时，击穿较困难，击穿电压高，带正电时，击穿电压较低，容易发生击穿。
(3)气体的压强降低或温度升高时，由于电子动能变大，击穿电压降低，容易发生火花放电。
(4) 湿度增加可使击穿电压下降。
(5) 电压的作用时间很短时，击穿电压较高。击穿电压越低，越容易发生火花放电，越容易成为可燃物的点火源。
参考资料来源：百度百科-击穿
参考资料来源：百度百科-基极
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第1个回答 推荐于2017-10-02
基极电流过大，三极管会击穿的原因是：
集电极电流是基极的β倍，β=50。因为基极电流增大，那么集电极电流也会瞬间50倍的增大，使得PN结承压也瞬间增大，三极管就会被击穿。
基极是半导体三极管的电极。一只半导体三极管有三个电极：分别是发射极、基极和集电极。半导体管在工作时要加工作电压，于是就产生了各极电流。半导体三极管在工作时发射极电流等于基极和集电极电流之和。其中基极电流最小，发射极电流最大。在基极加一很小的电流，在集电极就能输出很大的电流，因此三极管有放大作用。
集电极电流是基极的β倍，β=50。因为基极电流增大，那么集电极电流也会瞬间50倍的增大，使得PN结承压也瞬间增大，三极管就会被击穿。
基极是半导体三极管的电极。一只半导体三极管有三个电极：分别是发射极、基极和集电极。半导体管在工作时要加工作电压，于是就产生了各极电流。半导体三极管在工作时发射极电流等于基极和集电极电流之和。其中基极电流最小，发射极电流最大。在基极加一很小的电流，在集电极就能输出很大的电流，因此三极管有放大作用。
第2个回答 推荐于2017-09-17
通常情况下基极电流与三极管的击穿关系不大，三极管的击穿主要是PN结的反向电压过高，超出了三极管的耐受能力。基极电流过大会引起的是功耗过大导致NP结过热烧毁。本回答被提问者采纳
第3个回答 2010-11-15
因为三极管它是由两个PN结构成发的 基极和发射结之间就是一个PN结 PN结电流过大的话就会击穿 那三极管也是一样的基极电流过大就会击穿。
第4个回答 2010-11-15
基极电流大，集电极电流会按放大倍数增大，如果集电极电流超过晶体管的最大允许电流，则会发热损坏
击穿是指反向电压超过晶体管的反向耐压
击穿是指反向电压超过晶体管的反向耐压
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