第1个回答 2022-04-22
陶瓷靶材的制备工艺
烘料:称量前将起始原料置于烘箱中烘料3~6小时,烘料温度为100~120℃;
配料:将烘干的原料按照相应的化学计量比称量;
球磨:将称量好的原料以某种制备方式混料,混料时间为4~12小时,制成均匀浆料;
干燥:将制得的均匀浆料烘干;
煅烧:将烘干的粉料过筛并轻压成块状坯体置于马弗炉中,在800~950℃煅烧4~8小时,制成煅烧粉料;
球磨:将煅烧后的粉料研磨成细粉,再次球磨、烘干得到陶瓷粉料;
制坯:将制成的陶瓷粉料采用钢模手压成直径5~20mm、厚度约0.5~1.2mm的样片,将样片放入冷等静压机中,施加200~350MPa的压力,保压60~180s,制成所得陶瓷坯体;
烧结:将制成的陶瓷坯体置于马弗炉中,在1100~1200℃烧结4~6小时;
冷却:自然冷却至室温,即制得某种陶瓷靶材.
注:提供的温度、时间仅当做参考数据.
陶瓷靶材的特性要求
纯度:陶瓷靶材的纯度对溅射薄膜的性能影响很大,纯度越高,溅射薄膜的均匀性和批量产品的质量的一致性越好.
密度:为了减少陶瓷靶材的气孔,提高薄膜性能,要求溅射陶瓷靶材具有高密度.
成分与结构均匀性:为保证溅射薄膜均匀,尤其在复杂的大面积镀膜应用中,必须做到靶材成分与结构均匀性好.本回答被提问者和网友采纳