三星EUV极紫外光刻工厂的量产里程碑：7nm与6nm工艺全面启动
韩国京畿道华城市的三星V1工厂已开始大规模生产7nm 7LPP和6nm 6LPP极紫外光刻工艺芯片，这标志着全球首个专为EUV技术设计的代工厂正式投入生产。7LPP和6LPP工艺聚焦于高端移动SoC芯片，尽管客户名单未公开，但7LPP预计将成为主要的代工选择，而6LPP可能主要用于三星自身或特定客户的定制需求。
三星的6LPP技术相较于7LPP，晶体管密度提升约10%，功耗降低，且两者保持兼容性，这使得先前为7LPP设计的知识产权可以直接复用，显著降低成本。
三星的工艺路线图上，5LPE、4LPE、3GAE和3GAP等后续技术都将采用EUV，其中5nm和4nm是对7nm的深度改进，而3nm则是全新的设计理念。例如，高通最新发布的骁龙X60基带就采用5nm工艺，而三星3nm技术的开发也即将完成，告别传统的FinFET架构。
三星V1工厂的建设始于2018年，试产于2019年下半年，工厂的产能扩张迅速。预计到今年年底，7LPP EUV及后续工艺的总产能将比去年底增长三倍，总投资额达到惊人的60亿美元。
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