1、电阻温度换算公式： R2=R1*(T+t2)/(T+t1) R2 = 0.26 x (235 +(-40))/(235 + 20)=0.1988Ω 。
计算值 80 A t1-----绕组温度 T------电阻温度常数(铜线取235，铝线取225) t2-----换算温度(75 °C或15 °C) R1----测量电阻值 R2----换算电阻值。
2、在温度变化范围不大时，纯金属的电阻率随温度线性地增大，即ρ=ρ0(1+αt)，式中ρ、ρ0分别是t℃和0℃的电阻率 ，α称为电阻的温度系数。多数金属的α≈0.4%。
由于α比金属的线膨胀显著得多( 温度升高 1℃ ， 金属长度只膨胀约0.001%) ，在考虑金属电阻随温度变化时 ， 其长度 l和截面积S的变化可略，故R = R0 (1+αt)，式中和分别是金属导体在t℃和0℃的电阻。
3、电阻温度系数表示电阻当温度改变1度时，电阻值的相对变化，单位为ppm/℃。有负温度系数、正温度系数及在某一特定温度下电阻只会发生突变的临界温度系数。
当温度每升高1℃时，导体电阻的增加值与原来电阻的比值，叫做电阻温度系数，它的单位是1代，其计算公式为 α=(R2-R1)/R1(t2--t1) 式中R1--温度为t1时的电阻值。
Ω; R2--温度为t2时的电阻值，Ω。
扩展资料：
电阻和温度的关系：
导体的电阻与温度有关。纯金属的电阻随温度的升高电阻增大，温度升高1℃电阻值要增大千分之几。碳和绝缘体的电阻随温度的升高阻值减小。
半导体电阻值与温度的关系很大，温度稍有增加电阻值减小很大。有的合金如康铜和锰铜的电阻与温度变化的关系不大。
对于一个具有纯粹的晶体结构的理想金属来说，它的电阻率来自于电子在晶格结构中的散射，与温度具有很强的相关性。实际的金属由于工艺的影响，造成它的晶格结构不再完整。
例如界面、晶胞边界、缺陷、杂质的存在，电子在它们上面的散射形成的电阻率是一个与温度无关的量。因此，实际的金属电阻率是由相互独立的两部分组成。
电阻随温度变化的这几种情况都很有用处。利用电阻与温度变化的关系可制造电阻温度计，铂电阻温度计能测量—263℃到1000℃的温度，半导体锗温度计可测量很低的温度。
康铜和锰铜是制造标准电阻的好材料。
例如：电灯泡的灯丝用钨丝制造，钨的电阻随温度升高而增大，温度升高1℃电阻约增大千分之五。灯丝发光时温度约2000℃，所以，电阻值约增大10倍。
灯丝发光时的电阻比不发光时大得多，刚接通电路时灯丝电阻小电流很大，用电设备容易在这瞬间损坏。
参考资料来源：百度百科-电阻温度系数