硅晶片使用等离子处理真空腔里面闪光是正常的，讲清洗其整个过程还比较麻烦。至于等离子除胶通入氧气是常见做法，氧气等离子除胶，原理就是
辉光放电将氧气变成
等离子态，中性的氧气的变成带电粒子（有
正电荷，也有负电荷），这些高能粒子轰击物体表面，提高
表面能，这就改变物体表面的性质，像使硅片亲水。因为表面能量过高，处于不稳定的状态，所以这种效果稍纵即逝。
不过用特殊气体（少量
甲烷）和空气作为工艺气体，在处理表面形成羟基，达到亲水效果，
时效性大大延长。
等离子表面处理是一种新的技术，可以实现很多功能，主要是超洁净清洗、活化、刻蚀、涂覆这四种。
如果你想要达到活化使得硅片具有亲水的效果，需要使用功率高的
等离子清洗机进行处理，这时活化的功能占据主导地位，而时效性可以达到1个月至半年。
最前沿的等离子表面处理技术，就是涂覆的功能，在硅片表面加上纳米级别的亲水涂层，而且不影响硅片本身的性能，最终要的一点是这种处理的时效性是永久的
晶圆片级封装等离子体处理在晶园级封装中的先进应用日益增多，由于半导体器件制造商进一步缩小尺寸，提高封装器件的可靠性，等离子处理机在更高层次的晶圆级封装中得到了越来越多的应用。晶圆片等离子清洗机可以处理多种尺寸的晶片，大容量，自动化处理。
片状清洗等离子清洗机用于消除晶园级设备制造或上游组装过程中所产生的污染物。不管是哪种情况，清洁产品以去除氟，氧化物或是金属的污染，都会大大提高集成电路的产量，可靠性和性能。
脱渣为
光刻胶残留量有时仍在发展、处理。等离子体处理在进一步处理之前，少量抗蚀剂在晶片的整个表面上被均匀地去除。晶圆片等离子清洗机等离子体处理可用于成批剥离，材料包括
光致抗蚀剂，氧化物，氨化物蚀刻，
电介质。蚀刻率均匀度大于97%，每分钟1微米可实现。剥离与蚀刻工艺可用于圆片级封装，MEMS制造及磁盘驱动器处理。硅片前处理等离子处理机去除污染物和氧化，提高粘接率和可靠性。此外，等离子清洗机还为微粗糙改善晶片钝化层之间的粘附。
在UBM中，BCB与UBM的粘附等离子体处理改变晶片的钝化层的形态和润湿作用。高分子材料，例如苯并环丁烯（BCB）和UBM，在晶片的介电层中重新分布。等离子体清洗机处理使硅片初始钝化层形态发生变化，润湿性增强。介质图案形成再分配层的典型方法包括采用典型光刻方法对介质再分配材料进行图案化。晶圆片等离子清洗机等离子体清洗是介质图案化的可行替代方法，并可避免传统的湿法处理。
利用WLP小孔的清理，将晶片组成在堆叠芯片上，常会产生残余的产物，通过形成过程。通等离子体过优化结构，可以在不损伤晶片表面的情况下处理通孔。压凹等离子清洗可改善压凹粘连，提高压凹剪切强度。通过改善晶片表面的凹凸粘连，等离子清洗机可以显著提高凹凸剪切强度，凸模材料包括焊料和金钉的不同成分。