SiC技术指的是基于碳化硅(Silicon Carbide, SiC)半导体材料的技术。碳化硅是一种宽禁带、高击穿电场强度的半导体材料,有许多与硅材料不同的优越性能:
更高的耐电压和功率级别:SiC半导体比普通硅半导体有更高的电压击穿场强,因此可以在更高压下工作。这使得SiC技术在高压和高功率电子器件应用中具有优势。
更高的操作频率:SiC材料允许更快的电子迁移速度,因此SiC设备可以在更高频率下工作。
耐高温:SiC的熔点高达2730℃,相比硅的熔点1410℃高出一倍多,这使得SiC设备在高温环境中表现优越。
效率高:因为SiC的低导通电阻和较高的态密度,SiC器件的效率显著高于硅器件。
SiC技术被广泛用于各种高性能应用,包括电力电子,汽车,航空航天,通信和新能源等领域。在电力电子领域,SiC可以被用于开关电源,电力转换器,电动车驱动系统等。更具体来说,SiC功率器件已经在太阳能逆变器,电动汽车充电器,电力传输系统,以及风力发电等领域有所应用。