外延片生产流程：
1. 外延片生产后首先进行清洗，以确保表面无污染。
2. 接着在清洗后的外延片上镀上一层透明电极层，以便后续电路连接触点。
3. 然后进行透明电极图形的光刻工艺，形成特定的电极形状。
4. 之后通过腐蚀步骤移除不需要的透明电极材料，形成最终的电极图形。
5. 去除腐蚀后的临时胶层，使电极图形暴露出来。
6. 在此基础上进行平台图形的光刻，进一步定义芯片的结构。
7. 利用干法刻蚀技术去除特定区域的材料，形成芯片的平台图形。
8. 去除刻蚀后的临时胶层。
9. 对芯片进行退火处理，以改善其电学和光学特性。
10. 沉积一层SiO2作为窗口层，保护芯片同时允许光线透过。
11. 进行窗口图形的光刻，定义出LED芯片的发光窗口。
12. 腐蚀掉SiO2窗口层，形成所需的窗口形状。
13. 去除腐蚀后的临时胶层。
14. 进行N极图形的光刻，定义N型半导体区域。
15. 预清洗步骤确保表面清洁。
16. 镀膜并剥离，形成N极电极。
17. 退火处理以优化电极接触。
18. 进行P极图形光刻，定义P型半导体区域。
19. 镀膜并剥离，形成P极电极。
20. 研磨和切割步骤将晶圆分割成单个芯片。
21. 完成切割的芯片进行成品测试，确保性能符合标准。
LED芯片品质控制流程：
1. 晶圆切割成芯片后，进行100%的目检（视觉/振动检查），检查人员使用放大30倍数的显微镜进行仔细检查。
2. 使用全自动分类机根据电压、波长、亮度的预测参数对芯片进行全自动化挑选、测试和分类。
3. 对LED芯片进行检查（视觉检查）和贴上标签。确保芯片位于蓝膜中心，蓝膜上最多可容纳5000颗芯片，但每张蓝膜上至少要有1000颗。标签上记录芯片类型、批号、数量和光电测量统计数据，背面附着在蜡光纸上。
4. 蓝膜上的芯片进行最后的目检测试，标准与首次目检相同，确保芯片排列整齐且质量合格。
次品处理：
在LED芯片制作过程中，有缺陷或电极磨损的芯片被单独挑出，这些被称为散晶。同时，不符合正常出货要求的晶片会成为边片或毛片等次品。
晶圆测试：
晶圆上的九个测试点用于电压、波长、亮度等参数的检测。不符合标准的晶圆不会直接用于制作LED方片，而是作为次品处理，这类晶圆通常被称为LED大圆片，但其中仍可能包含质量较好的方片。
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