个人觉得既然VDD已经起了偏置作用,源漏之间的导电通路应该已经形成了啊,Vin大于0时应当就导通了呀
也就是相当于VDD只是将正电荷挤到二氧化硅绝缘层下方,而Vin=VGS(th)P是用来克服正电荷与二氧化硅绝缘层的摩擦力的吗?