ASML的EUV光刻机在全球独占鳌头，如今正用于7nm及以下的逻辑芯片生产，如CPU和GPU，而内存领域也即将迎来变革。SK海力士宣布，其总裁李石熙透露，公司计划在2023年下半年的利川厂区M16，运用EUV技术生产新一代的1a纳米DRAM产品。
李石熙强调，M16工厂预计今年底完成建设，明年初设备将开始引入，实验室已着手准备工作，预示着量产的序幕即将拉开。EUV光刻机对于内存的重要性不言而喻，它能通过减少多重曝光工艺，提升工艺精度，从而缩短生产周期，降低成本，增强性能表现。
然而，EUV工艺的引入并非没有成本，一台EUV光刻机的单价超过百亿元，且初期产量相较于传统DUV工艺较低，这无疑会带来初期的高成本压力。在此之前，三星已宣布采用EUV技术生产内存，其16GB LPDDR5内存带宽速度达到6400Mbps，相较于之前的12GB产品提升了16%。
在内存巨头中，美光对于EUV工艺的态度较为保守，但随着SK海力士和三星的相继布局，美光可能会重新评估其策略。因此，我们可以预见，内存市场的技术革新正加速进行，EUV工艺的广泛应用将引领内存行业迈入新篇章。