http://210.45.192.19/kecheng/2005xiaoji/16/teachingplan/chapter3.htm有详细的介绍
第三章 半导体三极管及其应用
§3.1 双极型三极管
3.1.1 半导体三极管的结构
双极型半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。
双极型三极管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。
3.1.2 三极管内部的电流分配与控制
双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。若在放大工作状态：发射结加正向电压，集电结加反向电压，如图所示。
在发射结正偏，集电结反偏条件下，三极管中载流子的运动：
(1)在VBB作用下，发射区向基区注入电子形成IEN，基区空穴向发射区扩散形成IEP。
(2) 电子在基区复合和扩散，由发射区注入基区的电子继续向集电结扩散，扩散过程中少部分电子与基区空穴复合形成电流IBN。由于基区薄且浓度低，所以IBN较小。
(3) 集电结收集电子，由于集电结反偏，所以基区中扩散到集电结边缘的电子在电场作用下漂移过集电结，到达集电区，形成电流ICN。
(4) 集电极的反向电流，集电结收集到的电子包括两部分：发射区扩散到基区的电子——ICN，基区的少数载流子——ICBO
IE=IEN+IEP 且有 IEN>>IEP
IEN=ICN+IBN 且有 IEN>> IBN ，ICN>>IBN
IC=ICN+ICBO IB=IEP+IBN－ICBO IE=IC+IB
3.1.3 三极管各电极的电流关系
(1)三种组态
双极型三极管有三个电极，其中两个可以作为输入, 两个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态，见下图
共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；
共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示；
共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。
(2)三极管的电流放大系数
对于集电极电流IC和发射极电流IE之间的关系可以用系数来说明，定义:
称为共基极直流电流放大系数。它表示最后达到集电极的电子电流ICN与总发射极电流IE的比值。ICN与IE相比，因ICN中没有IEP和IBN，所以的值小于1, 但接近1，一般为0.98~0.999 。由此可得:
在忽略ICBO情况下， IC 、 IE 和IB之间的关系可近似表示为：
3.1.4 三极管的共射极特性曲线
信号表示
信号表示（对IC 、VBE 、VCE 等意义相同）：IB 表示直流量／Ib 表示交流有效值／Ib 表示复数量／iB 表示交直流混合量／ib 表示交流变化量
1. 输入特性曲线
(1) VCE=0时：b、e间加正向电压， JC和JE都正偏， JC没有吸引电子的能力。所以其特性相当于两个二极管并联PN结的特性。VCE=0V： 两个PN结并联
(2) VCE>1V时，b、e间加正向电压，这时JE正偏， JC反偏。发射区注入到基区的载流子绝大部分被JC收集，只有小部分与基区多子形成电流IB。所以在相同的VBE下，IB要比VCE=0V时小。VCE>1V： iB比VCE=0V时小
(3) VCE介于0~1V之间时，JC反偏不够，吸引电子的能力不够强。随着VCE的增加，吸引电子的能力逐渐增强，iB逐渐减小，曲线向右移动。0<VCE<1V: VCE增加，iB减小
2. 输出特性曲线
3) 饱和区：对应于VCE<VBE的区域，集电结处于正偏，吸引电子的能力较弱。随着VCE增加，集电结吸引电子能力增强，iC增大。JC和JE都正偏，VCES约等于0.3V，饱和时c、e间电压记为VCES，深度饱和时VCES约等于0.3V。饱和时的三极管c、e间相当于一个压控电阻。
3. 温度对三极管特性的影响
温度升高使：（1）输入特性曲线左移
（2）ICBO增大，输出特性曲线上移
（3）β增大
3.1.5 半导体三极管的参数
半导体三极管的参数分为三大类: 直流参数，交流参数，极限参数
3.1.6 三极管的型号
3.1.7 三极管应用
三极管工作情况总结
例3.1.1：判断三极管的工作状态
例3.1.2：判断三极管的工作状态
§3.2 基本共射极放大电路电路分析
3.2.1 基本共射放大电路
1. 放大电路概念：基本放大电路一般是指由一个三极管与相应元件组成的三种基本组态放大电路。
a.放大电路主要用于放大微弱信号，输出电压或电流在幅度上得到了放大，输出信号的能量得到了加强。
b.输出信号的能量实际上是由直流电源提供的，经过三极管的控制，使之转换成信号能量，提供给负载。
2. 电路组成:
(1)三极管T;
(2)VCC：为JC提供反偏电压，一般几~ 几十伏;
(3)RC：将IC的变化转换为Vo的变化，一般几K~几十K。VCE=VCC-ICRC RC ，VCC 同属集电极回路。
(4)VBB：为发射结提供正偏。
(6)Cb1，Cb2：耦合电容或隔直电容，其作用是通交流隔直流。
(7)Vi：输入信号
(8)Vo：输出信号
(9)公共地或共同端，电路中每一点的电位实际上都是该点与公共端之间的电位差。图中各电压的极性是参考极性，电流的参考方向如图所示。
3. 共射电路放大原理
4. 放大电路的主要技术指标
放大倍数／输入电阻Ri／输出电阻Ro／通频带
（1）放大倍数
(2) 输入电阻 Ri
(3) 输出电阻Ro
(4) 通频带
问题1：放大电路的输出电阻小，对放大电路输出电压的稳定性是否有利？
问题2：有一个放大电路的输入信号的频率成分为100 Hz~10 kHz，那么放大电路的通频带应如何选择？如果放大电路的通频带比输入信号的频带窄，那么输出信号将发生什么变化？
3.2.2 放大电路的图解分析法
1. 直流通路与交流通路
静态：只考虑直流信号，即Vi=0，各点电位不变（直流工作状态）。
动态：只考虑交流信号，即Vi不为0，各点电位变化（交流工作状态）。
直流通路：电路中无变化量，电容相当于开路，电感相当于短路。
交流通路：电路中电容短路，电感开路，直流电源对公共端短路。
放大电路建立正确的静态，是保证动态工作的前提。分析放大电路必须要正确地区分静态和动态，正确地区分直流通道和交流通道。
直流通路
交流通路
2. 静态分析
例3.2.1：电路及参数如图，求Q点值
例3.2.2：电路及参数如图，求Q点值
(2) 静态工作点的图解分析
讨论：电路参数变化对Q点的影响
3. 动态分析
截止失真：由于放大电路的工作点达到了三极管的截止区而引起的非线性失真。对于NPN管，输出电压表现为顶部失真。
饱和失真：由于放大电路的工作点达到了三极管的饱和区而引起的非线性失真。对于NPN管，输出电压表现为底部失真。注意：对于PNP管，由于是负电源供电，失真的表现形式，与NPN管正好相反。
交流负载线
最大不失真输出：放大电路要想获得大的不失真输出幅度，需要
输出功率和功率三角形
3.2.3 放大电路的小信号模型分析法
图解法的适用范围：信号频率低、幅度 较大的情况。
如果电路中输入信号很小，可把三极管特性曲线在小范围内用直线代替，从而把放大电路当作线性电路处理——微变等效电路。
1.三极管可以用一个模型来代替。
2.对于低频模型可以不考虑结电容的影响。
3.小信号意味着三极管在线性条件下工作，微变也具有线性同样的含义。
1. h参数等效电路
2. 三极管共射h参数等效电路
3.
参数的物理含义
三极管共射简化h参数等效电路
3.2.3 基本共射电路分析计算
1. 计算电压放大倍数Av
2. 计算输入电阻 Ri
例3.2.3：求Av ，R i，Ro
例3.2.4
§3.3 基本放大电路的三种组态
组态一：共射电路
组态二：共集电极电路
共集电极组态基本放大电路如图所示。
(1) 直流分析
(2) 交流分析
放大倍数／输入电阻／输出电阻
组态三：共基极放大电路
共基组态放大电路如图
交流、直流通路
微变等效电路
共基极组态基本放大电路的微变等效电路
性能指标
三种组态电路比较
§3.4 基本放大电路的频率响应
频率失真：幅度失真和相位失真(p20-21图1.2.9)
3.4.1 RC电路的频率响应
2. RC高通滤波电路
3.4.2 三极管的高频等效模型
三极管的频率参数fβ和fT
高频等效模型的单向化
在简化混合π型模型中，因存在Cb’c ，对求解不便，可通过单向化处理加以变换。
密勒定理
高频等效模型的单向化
3.4.3 基本共射电路的频率响应
高频段等效电路
高频段频响波特图
低频段等效电路
全频段总电压放大倍数
全频段放大倍数波特图
放大电路的增益带宽积
§3.5 多级放大电路
3.5.1 多级放大电路
3.5.2 直接耦合多级放大电路
直接耦合多级放大电路动态分析
3.5.3 阻容耦合多级放大电路
3.5.4 变压器耦合多级放大电路
3.5.5 多级放大电路的频率响应
本章总结
例题1 共基电路
例题2 共集电路
例题3 共射电路
例题4 共射电路低频响应
例题5 多级放大电路1
例题6 多级放大电路2