随奥氏体的碳含量变化而变化，这种转变称为伪共析转变，其转变产物称为伪共析组织。
当奥氏体快冷到SG'线和SE'线以下的影线区时，则非共析成分的奥氏体不经过先共析转变而直接进行珠光体转变，这种转变称为伪共析转变。其转变产物珠光体又称为伪共析体。E'SG'线以下的阴影区域称为伪共析转变区。
电脉冲对亚共晶铁碳合金共析组织的影响
随着电流密度的升高，运动位错的数量有着显著地单调性，即随着电流密度的增大，运动位错的数量必然也随之增加。
由于渗碳体的强度大于奥氏体，当位错滑移到渗碳体附近时会被渗碳体阻碍。根据位错理论，位错的攀移要大大难于位错的滑移，所以位错的攀移速度远小于位错在渗碳体周围堆积的速度，因此在渗碳体周围会产生大量的位错堆积现象。
位错的堆积引起了高强度的应力集中，增加了渗碳体的界面能，增加界面能正比于围绕在渗碳体周围的位错数量。而根据法拉第电磁感应定律，当亚共晶铁碳合金经过ECP处理时会不可避免的产生脉冲磁场，脉冲磁场和脉冲电流的相互作用在试样中产生洛伦兹力。
洛伦兹力的作用同样使渗碳体的界面能增加。渗碳体是亚稳相，它的稳定性随着界面能的升高而降低。在位错塞积产生的应力集中和洛伦兹力的共同作用下，使渗碳体的界面能增加，促使渗碳体分解。
随着原子的扩散能力增加和相变势垒的减小，扩散激活能随之减小，使石墨的形核孕育期缩短。而渗碳体周围的位错塞积处增加的形核位置同时可容纳石墨生成时所伴随的体积膨胀，也避免了形核时因畸变能引起的大的势垒，并且充分利用已经存在的界面能，降低了石墨形核所需的相变驱动力。
同时，石墨在位错塞积处形核无需其它置换性原子扩散开去腾出空间，同样有利于石墨的形核。
伪共析组织是伪共析转变产物。具体概念如下：
以铁碳合金平衡图中为例，将共析成分（0.77% C）附近的亚共析钢或过共析钢以适当快的速度冷却至平衡图的GS线和（或）ES线的反向延长线所组成的阴影区（叫伪共析区）。
使先共析相（先共析铁素体和先共析渗碳体）来不及析出，这样就形成了珠光体型的类共析组织,因其合金成分并非共析成分，且组织中铁素体和渗碳体的相对含量也与共析成分的珠光体不同，随奥氏体的碳含量变化而变化，这种转变称为伪共析转变，其转变产物称为伪共析组织。
伪共析体（pseudo-eutectoid）是2019年公布的冶金学名词。
自某种均匀一致的固相中同时析出两种化学成分和晶格结构完全不同的新固相的转变过程称为共析反应。同共晶反应相似，共析反应也是一个恒温转变过程，也有与共晶线及共晶点相似的共析点和共析线。共析反应的产物称为共析体。
由于共析反应是在固态合金中进行的，转变温度较低，原子扩散困难，因而易于达到较大的过冷度。所以同共晶体相比，共析体的组织要细致均匀得多。最常见的共析反应是铁碳合金中的珠光体转变。最简单的具有共析反应的二元合金。
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