合肥长鑫在内存领域取得了显著进展，去年底已成功量产国内DDR4芯片，总投资庞大的项目展现出实际成果。接下来，公司设定的LPDDR5内存技术目标已明确，预计在17nm以下工艺技术上取得突破，时间框架锁定在2-3年内。
安徽省近日发布的《补短板产品和关键技术攻关任务揭榜工作方案》明确提出，内存技术的发展重点在于推进LPDDR5 DRAM产品的研发，以满足中高端移动设备对低功耗和高速度的需求。该方案要求攻克高速接口技术、Bank Group架构设计、低功耗电源技术以及片内纠错编码技术，旨在实现LPDDR5 DRAM的自主可控和产业化。
长鑫公司已在其技术路线上有所布局，预示着未来将推出10G3、10G5等新品，工艺演进方向可能是1X、1Y、1Znm，对应16-19nm、14-16nm、12-14nm的先进技术。虽然官方给出的2-3年期限留有余地，但参照长江存储闪存的快速发展，国产LPDDR5的实现时间可能比预期更快，每一代的迭代升级速度将加快。