rbe的计算公式：rbe=rbb'+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}]，计算的是三极管的输入电阻。三极管全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOS FET和VMOS都是绝缘型的场效应管
公式rbe=rbb'+(1+β)[ 26(mA) / IEO(mA)} ]+(1+β）（R7∥R8）计算的是射随器输入电阻。
共射极放大电路，输入回路与输出回路以三极 管的发射极为公共端。输入信号ui通过电容C1加到三极管的基 极，引起基极电流iB的变化，iB的变化又使集电极电流ic发生变 化，且ic的变化量是iB变化量的β倍。
由于有集电极电压，uCE= UCC-iCRC，uCE中的变化量经耦合电容C2传送到输出端，从而得 到输出电压uo。当电路中的参数选择恰当时，便可得到比输入信 号大得多的输出电压，以达到放大的目的。
拓展：
rbe是晶体管的交流输入电阻，输入电阻是从放大电路输入端看进去的等效电阻。
rbe是晶体管的交流输入电阻(动态)由三部份组成：
1.基极体积电阻rbb一般为数十至二三百欧；
2.发射极体积电阻很小一般忽略；
3，基极、发射极 结电阻跟β与电流IE有关公式为：
β×26(mv)/I(ma) ∵rbe=rbb+β×(26mv)/(Ima) 26(mv)/I(ma) (波尔兹曼常数)
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