第1章 集成电路器件和模型
1.1 半导体和pn结
导电性能介于导体与绝缘体之间材料，我们称之为半导体。在电子器件中，常用的半导体材料有：元素半导体，如硅（Si）、锗（Ge）等；化合物半导体，如砷化镓（GaAs）等；以及掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（B）、磷（P）、锢（In）和锑（Sb）等。
1.2 mos晶体管
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
1.3 高级mos模型
1.4 双极结晶体管
1.5 器件模型总结
1.6 spice模型参数
1.7 附录
1.8 参考文献
1.9 习题
第2章 工艺和布局
2.1 cmos工艺
2.2 双极工艺
2.3 cmos布局和设计准则
2.4 模拟布局考虑
2.5 锁存现象
2.6 参考文献
2.7 习题
第3章 镜像电流源和单级放大电路基础
3.1 简单cmos镜像电流源
3.2 共源放大器
3.3 源极跟随器或共漏放大器
3.4 共栅放大器
3.5 源极退化镜像电流源
3.6 高输出阻抗镜像电流源
3.7 共射共基增益级
3.8 mos差动对和增益级
3.9 双极镜像电流源
3.10 双极增益级
3.11 频率响应
3.12 spice仿真范例
3.13 参考文献
3.14 习题
第4章 噪声分析与模型建立
4.1 时域分析
4.2 频域分析
4.3 电路元件的噪声模型
4.4 噪声分析举例
4.5 参考文献
4.6 习题
第5章 基本运算放大器设计和补偿
5.1 二级cmos运算放大器
5.2 反馈和运算放大器补偿
5.3 spice仿真范例
5.4 参考文献
5.5 习题
第6章 高级镜像电流源和运算放大器
第7章 比较器
第8章 采样保持、电压基准和跨导线性电路
第9章 离散时间信号
第10章 开关电容器电路
第11章 数据转换器基本原理
第12章 奈奎斯特速率d/a转换器
第13章 奈奎斯特速率a/d转换器
第14章 过采样转换器
