三极管EM2模型中,基极内部等效电阻,是100欧左右,具体值在三极管的器件手册中会给出。
等效电路是当电路中某一部分用其等效电路代替之后,未被代替的部分电压和电流均不发生变化,也就是说电压和电流不变的部分只是等效部分以外的电路。
微变等效电路的特点:
1、微变等效电路的对象只对变化量。因此,NPN型管和PNP型管的等效电路完全相同。
2、微变等效电路是在正确的Q点上得到的,如Q点设置错误,即Q点选在饱和区或截止区时,等效电路无意义。
3、不能用微变等效电路求静态工作点。④ 微变等效电路中的电压和电流全部用交流量的有效值表示, 电压和电流的方向按网络的定义方向,不要随意改变。
扩展资料:
放大原理
1、发射区向基区发射电子
电源Ub经过电阻Rb加在发射结上,发射结正偏,发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结进入基区,形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散,但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度,可以不考虑这个电流,因此可以认为发射结主要是电子流。
2、基区中电子的扩散与复合
电子进入基区后,先在靠近发射结的附近密集,渐渐形成电子浓度差,在浓度差的作用下,促使电子流在基区中向集电结扩散,被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子(因为基区很薄)与基区的空穴复合,扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
3、集电区收集电子
由于集电结外加反向电压很大,这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散,同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子(空穴)也会产生漂移运动,流向基区形成反向饱和电流,用Icbo来表示,其数值很小,但对温度却异常敏感。
参考资料来源:百度百科-三极管
参考资料来源:百度百科-等效电路