晶体管基极电流的重要作用 Ib 指的交流,还是交流和直流的叠加

众所周知,双极型晶体管(BJT)的基极电流Ib很小,并且要求Ib越小越好(因为电流放大系数β≈Ic/Ib)。虽然基极电流很小,但是它对晶体管的性能却往往起着决定性的作用。
共发射极组态和共集电极组态都具有较大的电流放大作用,并且都是输入基极电流来控制、并实现放大作用的

上述描述中的Ib 指的是基极电流中的交流(ib)还是基极电流中交流和直流的叠加(ib+IB) 谢谢

物理上不是规定交流和直流的叠加用iB 表示 怎么有的描述用Ib 表示, Ib 这个基极电流指的是哪部分

为了保证晶体管的正常工作,要有一定的基极电压和电流,这种电流,叫静态工作电流。当然是直流。信号进入基极,是指交流信号,输出的也是被放大的交流信号。追问

上的Ib 增大指的是


基极电流控制作用

如果向npn晶体管的基区增加一些空穴,则为了保持发射结两边的平衡(发射结电压VBE一定时),就必将在发射区中增加相等数量的电子,即等效于增加了发射区掺杂浓度,从而也就使得注入到基区头部的电子浓度由n(o)增加为n’(o),如图中的虚线所示。可见,基区多数载流子浓度的增加,就增大了少子浓度分布的梯度,于是也就提高了少子扩散电流密度,结果导致输出集电极电流增大。

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第1个回答  2014-07-30
在放大电路中,ib一般是指交流的。基极直流是用来设置静态工作点的,只有有了这个静态的直流电流,才会使交流放大变得可行。追问

上述的Ib 增大指的是


如果向npn晶体管的基区增加一些空穴,则为了保持发射结两边的平衡(发射结电压VBE一定时),就必将在发射区中增加相等数量的电子,即等效于增加了发射区掺杂浓度,从而也就使得注入到基区头部的电子浓度由n(o)增加为n’(o),如图中的虚线所示。可见,基区多数载流子浓度的增加,就增大了少子浓度分布的梯度,于是也就提高了少子扩散电流密度,结果导致输出集电极电流增大。

追答

其实你不应该单纯的只看到这个图本身,“如果向npn晶体管的基区增加一些空穴”,这句话的实质是因为在外加电压VBE的作用下,使基区中本身已经处在空穴中的电子又有一部分离开空穴(什么情况会这样?),这样的话,电路中电流就增大了,这时外部必定会有更多的电子进入发射区,扩散作用会的到加强。这样你再看你的追问里面的解释,你应该能看懂了吧?

追问


电子浓度由n(o)增加为n’(o)  是一个怎样的过程


 以图一趋势增加 还是图二趋势增加 

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