晶体管基极电流的重要作用 Ib 指的交流，还是交流和直流的叠加

Question

众所周知，双极型晶体管（BJT）的基极电流Ib很小，并且要求Ib越小越好（因为电流放大系数β≈Ic/Ib）。虽然基极电流很小，但是它对晶体管的性能却往往起着决定性的作用。
共发射极组态和共集电极组态都具有较大的电流放大作用，并且都是输入基极电流来控制、并实现放大作用的

上述描述中的Ib 指的是基极电流中的交流（ib)还是基极电流中交流和直流的叠加（ib+IB) 谢谢

物理上不是规定交流和直流的叠加用iB 表示 怎么有的描述用Ib 表示， Ib 这个基极电流指的是哪部分

Answer 1

为了保证晶体管的正常工作，要有一定的基极电压和电流，这种电流，叫静态工作电流。当然是直流。信号进入基极，是指交流信号，输出的也是被放大的交流信号。追问

上的Ib 增大指的是

基极电流控制作用

如果向npn晶体管的基区增加一些空穴，则为了保持发射结两边的平衡（发射结电压VBE一定时），就必将在发射区中增加相等数量的电子，即等效于增加了发射区掺杂浓度，从而也就使得注入到基区头部的电子浓度由n(o)增加为n’(o)，如图中的虚线所示。可见，基区多数载流子浓度的增加，就增大了少子浓度分布的梯度，于是也就提高了少子扩散电流密度，结果导致输出集电极电流增大。

Answer 2

在放大电路中，ib一般是指交流的。基极直流是用来设置静态工作点的，只有有了这个静态的直流电流，才会使交流放大变得可行。追问

上述的Ib 增大指的是

如果向npn晶体管的基区增加一些空穴，则为了保持发射结两边的平衡（发射结电压VBE一定时），就必将在发射区中增加相等数量的电子，即等效于增加了发射区掺杂浓度，从而也就使得注入到基区头部的电子浓度由n(o)增加为n’(o)，如图中的虚线所示。可见，基区多数载流子浓度的增加，就增大了少子浓度分布的梯度，于是也就提高了少子扩散电流密度，结果导致输出集电极电流增大。

追答

其实你不应该单纯的只看到这个图本身，“如果向npn晶体管的基区增加一些空穴”，这句话的实质是因为在外加电压VBE的作用下，使基区中本身已经处在空穴中的电子又有一部分离开空穴（什么情况会这样？），这样的话，电路中电流就增大了，这时外部必定会有更多的电子进入发射区，扩散作用会的到加强。这样你再看你的追问里面的解释，你应该能看懂了吧？

追问

电子浓度由n(o)增加为n’(o)  是一个怎样的过程

 以图一趋势增加 还是图二趋势增加 

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