基极电流和集电极电流之和等于发射极电流；基极电流和发射极电流有一定的正比关系，也就是二者的电流大小的比值在一定范围内不变，也就是基极小的电流变化，在发射极就能有大的电流变化。
基极开路时，Iceo非常小，这个值越小越好。要使晶体管能够处于放大状态，必须是发射结正偏，集电结反偏。
由于其响应速度快，准确性高，晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能，包括放大，开关，稳压，信号调制和振荡器。晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域，可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。
扩展资料：
改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中多数载流子的密度或类型。它是由电压调制沟道中的电流，其工作电流是由半导体中的多数载流子输运。这类只有一种极性载流子参加导电的晶体管又称单极型晶体管。
与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声小、极限频率高、功耗小，制造工艺简单、温度特性好等特点，广泛应用于各种放大电路、数字电路和微波电路等。
以硅材料为基础的金属0-氧化物-半导体场效应管（MOSFET)和以砷化镓材料为基础的肖特基势垒栅场效应管（MESFET ）是两种最重要的场效应晶体管，分别为MOS大规模集成电路和MES超高速集成电路的基础器件。
参考资料来源：百度百科--晶体管
参考资料来源：百度百科--放大器
参考资料来源：百度百科--基极
参考资料来源：百度百科--电流谐振
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第1个回答 推荐于2017-09-02
在单管放大的状态下，管子处于放大状态的时候，可以通过测量基极，集电极，发射极的电流得到以下结论：
（1）基极电流和集电极电流之和等于发射极电流；
（2）基极电流和发射极电流有一定的正比关系，也就是二者的电流大小的比值在一定范围内不变，也就是基极小的电流变化，在发射极就能有大的电流变化；
（3）基极开路时，Iceo非常小，这个值越小越好；
（4）要使晶体管能够处于放大状态，必须是发射结正偏，集电结反偏；
（1）基极电流和集电极电流之和等于发射极电流；
（2）基极电流和发射极电流有一定的正比关系，也就是二者的电流大小的比值在一定范围内不变，也就是基极小的电流变化，在发射极就能有大的电流变化；
（3）基极开路时，Iceo非常小，这个值越小越好；
（4）要使晶体管能够处于放大状态，必须是发射结正偏，集电结反偏；
第2个回答 推荐于2017-09-21
在单管放大的状态下，管子处于放大状态的时候，可以通过测量基极，集电极，发射极的电流得到以下结论：
（1）基极电流和集电极电流之和等于发射极电流；
（2）基极电流和发射极电流有一定的正比关系，也就是二者的电流大小的比值在一定范围内不变，也就是基极小的电流变化，在发射极就能有大的电流变化；
（3）基极开路时，Iceo非常小，这个值越小越好；
（4）要使晶体管能够处于放大状态，必须是发射结正偏，集电结反偏；本回答被提问者采纳
（1）基极电流和集电极电流之和等于发射极电流；
（2）基极电流和发射极电流有一定的正比关系，也就是二者的电流大小的比值在一定范围内不变，也就是基极小的电流变化，在发射极就能有大的电流变化；
（3）基极开路时，Iceo非常小，这个值越小越好；
（4）要使晶体管能够处于放大状态，必须是发射结正偏，集电结反偏；本回答被提问者采纳
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