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磁控溅射中频电源
直流(DC)
磁控溅射
、
中频
(MF)磁控溅射、射频(RF)磁控溅射分别有什么特点...
答:
2.
中频
(MF)
磁控溅射
中评交流磁控溅射可用在单个阴极靶系统中,工业上一般使用孪生靶溅射系统;靶材利用率最高可达70%以上,靶材有更长的使用寿命,更快的溅射速率,杜绝靶材中毒现象.3.射频(RF)磁控溅射 射频溅射特点 - 射频方法可以被用来产生溅射效应的原因是它可以在靶材上产生自偏压效应.在射频溅射装置...
真空电镀--
磁控溅射
镀膜技术
答:
磁控溅射
镀膜技术,一门精密的表面处理工艺,通过精确操控真空环境与粒子运动,为我们揭示了一种独特的材料沉积过程。首先,让我们深入探讨其核心原理:创造真空环境:在经过精心调节的真空chamber(腔体),压力通常控制在2到5×10-5托(2到5帕),氩气(Ar)如箭般注入,开启直流
电源
,电离过程由此展开。
求助
磁控溅射
法有哪些种类?反应磁控溅射法是不是分为直流磁控溅射法和...
答:
主要的溅射方法可以根据其特征分为以下四种:(1)直流溅射;(2)射频溅射;(3)
磁控溅射
;(4)反应溅射。另外,利用各种离子束源也可以实现薄膜的溅射沉积。磁控溅射是在二极直流溅射的基础上,在靶表面附近增加一个磁场。电子由于受电场和磁场的作用,做螺旋运动,大大提高了电子的寿命,增加了电离...
真空
磁控溅射
技术的
中频
孪生靶溅射技术有以下特点:
答:
由于消除了打火现象膜内缺陷比直流溅射时低几个数量级;3)膜内应力低,与基体结合力强。由于
中频溅射
时到达基体的原子能量高于直流溅射,因此沉积时基体温升高,形成的膜较致密;4)连接简单。中频溅射时
电源
与靶的连接比射频(13.56MHz)溅射容易,后者需要复杂的阻抗匹配。脉冲
磁控溅射
是采用脉冲电源或者...
中频溅射
中什么是偏压
答:
中频(磁控)溅射
和偏压是两个不同的概念。在
磁控溅射
离子镀之中,偏压是指施加在工件上的负电压,用来施加偏压的
电源
叫做偏压电源。
中频溅射
是用来镀膜的,中频溅射靶的电源叫做中频电源。如果还不清楚可以百度Hi我。
磁控溅射
如何制作DLC膜层???
答:
第一种:
磁控溅射
法,用于工具镀膜,需要先打底,如CrN, 然后用石墨靶溅射,最后还有通入C2H2 ,才能最终得到SP3结构的DLC。最好用
中频电源
;第二种:PACVD,同样用于工具镀膜,也要用铬靶打底,镀DLC时,通入反应气体,靶只是作为一个电极来用,并不溅射。甚至有用射频电源;第三种:生物DLC, 是透明...
磁控溅射
靶材中毒是什么原因,有何现像?如何避免?
答:
现象:靶电压长时间不能达到正常,一直处于低电压运行状态,并伴有弧光放电;靶表面呈现白色附着物或密布针状灰色放电痕迹。若要彻底杜绝靶中毒,必须用
中频电源
或射频电源代替直流电源;减少反应气体的通入量、提高
溅射
功率,清理靶材上的污染物(特别是油污)、选用真空性能好的防尘灭弧罩等方法均可有效防止...
磁控溅射
对陶瓷靶为什么不能起辉
答:
溅射
陶瓷靶一般需要用射频
电源
。射频电源频率通常能够在10MHz以上,常用13.56MHz射频电源。原因是:溅射开始,带正电的氩离子在电场下飞向靶,但这种溅射只能持续10-7秒,靶表面将形成一层正电荷,溅射停止。如果倒转电源极性,即靶上加正电位,等离子体中电子将飞向靶面中和靶面的氩离子,这个过程时间为...
镀膜设备接地原理
答:
磁控溅射
和真空溅镀。在高压作用下,ar原子电离成为ar+离子和电子,飞向阳极,与靶材原子碰撞释放出能量,沉积在基体上形成薄膜。充入惰性气体,施加直流电源或
中频电源
,电离产生辉光放电,使氩原子电离为ar+离子和电子,电子飞向阳极,与靶材原子碰撞其能量,获得相当高能量的靶材原子脱离其靶材的束缚而飞向...
比较二极直流高频溅射 ,
磁控溅射
,反应性溅射的主要差别和范围 薄膜技 ...
答:
做螺旋运动。这样,在较多电子轰击溅射气体分子,形成二次电子,有利于溅射气体的电离,形成溅射气体的自维持放电,这样的就叫做
磁控溅射
。而二级直流
溅射电源
,一般频率较低(<10KHz),称为低频溅射;电源用作中频(>10KHz,<80KHz),称为
中频溅射
;电源用作高频(>80KHz),称为高频溅射。
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