磁控溅射在技术上可分为直流(DC)磁控溅射、中频(MF)磁控溅射、射频(RF)磁控溅射.
1.直流(DC)磁控溅射
溅射与气压的关系 - 在一定范围内提高离化率(尽量小的压强下维持高的离化率)、提高均匀性要增加压强和保证薄膜纯度、提高薄膜附着力要减小压强的矛盾,产生一个平衡.
辉光放电直流溅射系统
特点:提供一个额外的电子源,而不是从靶阴极获得电子.实现低压溅射(压强小于0.1帕).
缺点:难以在大块扁平材料中均匀溅射,而且放电过程难以控制,进而工艺
重复性差.
2.中频(MF)磁控溅射
中评交流磁控溅射可用在单个阴极靶系统中,工业上一般使用孪生靶溅射系统;
靶材利用率最高可达70%以上,靶材有更长的使用寿命,更快的溅射速率,杜绝靶材中毒现象.
3.射频(RF)磁控溅射
射频溅射特点 - 射频方法可以被用来产生溅射效应的原因是它可以在靶材上产生自偏压效应.在射频溅射装置中,
击穿电压和放电电压显着降低.不必再要求靶材一定要是导电体.