溅射工艺中的直流溅射和射频溅射两种方法都是使用电场将离子加速,然后让这些离子撞击目标材料,从而使目标材料的原子被“溅射”出来,沉积在基板上形成薄膜。这两种方法的主要区别在于所使用的电场类型,即直流电场和射频电场。
直流溅射主要适用于导电目标材料,如金属。这是因为在直流溅射中,目标材料需要与电源形成一个闭合的电路,以维持稳定的电流。如果目标材料是绝缘体,那么电流无法通过,导致无法维持稳定的溅射过程。
射频溅射则可以用于绝缘体目标材料。在射频溅射中,使用的是射频电场,电场的方向会周期性地改变。这意味着即使目标材料是绝缘体,也可以在电场的作用下产生足够的电子和离子,从而维持稳定的溅射过程。因此,如果要溅射绝缘体材料,通常需要使用射频溅射。
总的来说,这两种溅射方法的主要区别在于所使用的电场类型,以及对目标材料的导电性的要求。射频溅射由于其对目标材料导电性要求较低的特性,使其成为溅射绝缘体材料的首选方法。
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