晶圆清洗分为湿法清洗和干法清洗。等离子清洗属于后者，主要用于去除晶圆表面不可见的表面污染物。在清洗过程中，首先将晶圆放入
等离子清洗机的真空反应室并进行排气。达到一定
真空度后，引入反应气体。这些反应性气体被电离形成等离子体，产生化学品和化学品。物理反应发生在晶圆表面，产生的挥发物被抽出，使晶圆表面保持清洁和亲水。
1.晶圆清洗等离子清洗机：
1-1：
晶圆的等离子清洗在 0 级或更高级别的洁净室中进行，这需要非常高的颗粒。额外的颗粒会在晶片中产生无法修复的缺陷。因此，设计等离子清洗机的腔体必须首先由铝制成，而不是不锈钢。用于放置晶片的支架的滑动部分应由灰尘较少且不易被等离子体腐蚀的材料制成。电极和支架易于拆卸和维护。
1-2：
等离子清洗器反应室内的电极间距、层数、气路分布对晶圆加工的均匀性有很大影响。这些指标需要通过不断的实验来优化。
1-3: 1-3:
在等离子清洗晶圆的过程中会积累一些热量。等离子清洗机电极通常采用水冷方式，因为电极板的温度必须保持在一定范围内。
1-4
多层电极等离子清洁器具有相对较高的容量，允许根据需要将多个晶片放置在每个支架上。它适用于去除半导体专用的 4 英寸和 6 英寸晶圆上的光。分立器件和电力
电子元件雕刻底膜。
然后等离子清洗机用于晶圆级封装的预处理：
2-1：
晶圆级封装（WLP）是一种先进的芯片封装方法。也就是说，整个晶圆被制造出来，然后直接封装在晶圆上。然后将整个晶圆切割成单独的管芯。没有引线键合或灌封，因为使用铜凸块代替引线键合进行电气连接。
2-2：
晶圆级封装预处理的目的是去除表面
矿物质，减少氧化层，增加铜
表面粗糙度，提高产品可靠性。
2-3：
根据产能需要，晶圆级封装预处理等离子清洗机的真空反应室设计、电极结构、气流分布、水冷、均匀性等方面会有很大差异。
2-4：
芯片制作完成后，残留的
光刻胶不能用湿法清洗，只能用等离子去除。但是，光刻胶的厚度无法确定，必须调整相应的工艺参数。