全球首款3nm芯片，正式发布

Question

如题所述

Answer 1

美国芯片公司Marvell宣布，基于台积电3纳米工艺的全球首款数据中心芯片正式发布。这款芯片采用了Marvell创新的硅构建模块，包括112G XSR SerDes、Long Reach SerDes、PCIe Gen6/CXL3.0 SerDes和240Tbps的并行芯片到芯片互连。这些技术共同消除了系统级瓶颈，推进了最复杂的半导体设计。同时，SerDes技术也降低了成本，并有助于减少引脚、走线和电路板空间。
台积电表示，3纳米制程技术将是5纳米制程技术之后的又一全世代制程，具备业界最先进的制程技术。相较于5纳米制程技术，3纳米制程技术的逻辑密度将增加约70%，在相同功耗下速度提升10-15%，或者在相同速度下功耗降低25-30%。然而，3纳米工艺窗口相对较窄，可能并不适合所有应用。
台积电透露了四种3纳米衍生制造工艺（总共五个3纳米级节点）——N3E、N3P、N3S和N3X，这些工艺都将在未来几年推出。其中N3E提高了性能，降低了功耗，并增加了工艺窗口。与5纳米工艺相比，N3E的功耗将降低34%（在相同的速度和复杂度下）或18%的性能提升（在相同的功率和复杂度下），并将逻辑晶体管密度提高1.6倍。
台积电的FinFlex技术允许芯片设计人员在一个块内混合和匹配不同类型的标准单元，以精确定制性能、功耗和面积。这项技术大大提高了设计灵活性，并允许芯片设计人员精确优化性能、功耗和成本。
在三星方面，早在台积电公布3纳米量产之前，三星已经宣布实现了3纳米工艺的量产。三星的3纳米工艺采用了GAA晶体管，突破了FinFET的性能限制，通过降低电源电压水平提高功率效率，同时还通过增加驱动电流能力提高性能。
对于芯片公司而言，如何面对芯片设计挑战和成本挑战，将是未来多年的头等大事。