三极管的三个电极的电流中E最大，B最小，E跟C相近。
对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e （Emitter）、基极b (Base)和集电极c (Collector)。
当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Eb。
在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散。
但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流子。
扩展资料
电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。
电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。
也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。
另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
参考资料来源：百度百科-晶体三极管
在这个过程中，发射极始终为公共端。
如果是 NPN 型，则正极接集电极，负极接发射极，如果有微弱的电流 Ibe 从发射极流向基极，则发射极和集电极会流过 Ice=βIeb。此时集电极电位最高，发射极最低。
这个过程中，发射机仍然终为公共端，只是从集电极流向公共端发射极的电流 Ice 始终等于 β 倍的从基极流向公共端发射极的电流 Ieb，而在 PNP 型中，这个电流方向与此相反，因为电源亦与此相反。
三极管工作于放大状态始终不变的条件“发射结正偏，集电结反偏”。
在这个过程中，发射极始终为公共端。
如果是 NPN 型，则正极接集电极，负极接发射极，如果有微弱的电流 Ibe 从发射极流向基极，则发射极和集电极会流过 Ice=βIeb。此时集电极电位最高，发射极最低。
这个过程中，发射机仍然终为公共端，只是从集电极流向公共端发射极的电流 Ice 始终等于 β 倍的从基极流向公共端发射极的电流 Ieb，而在 PNP 型中，这个电流方向与此相反，因为电源亦与此相反。
三极管工作于放大状态始终不变的条件“发射结正偏，集电结反偏”。本回答被网友采纳