计算如图三极管驱动电路的放大倍数
如图，现已知V1求V2，要求结果表达为以V1为变量的公式
我犯二了，总是搞错PWM的概念，这确实是开关电路不是放大电路
楼下有很多说是反相的，请注意我的PMOS管是上下颠倒的，源极在上，漏极在下，随着Vgs的升高，当PMOS管处于导通状态下时，随着Vds的增加，漏极电流将会达到最大值。也就是V2应该为15V，但是我不太确定，请问我说的对吗？
我觉得我还是重新梳理一下比较。BJT部分应该没问题了，NPN型三极管，集电极在上，射极在下，当V1=5V时，基极-射集压降5V，同时集极-射集压降15V，BJT导通。
问题在于BJT导通以后，MOS管如何。这里的应该是增强型P沟道MOS管，源极在上，漏极在下。当BJT导通之后栅极和源极电压应该是多少？栅极和哪点等势？
V2=15-V1÷R31×β×R27=15-V1×β÷2k×10k=15-5βV1
Q8实际上组成了电压跟随器，作用是电流放大，对电压增益基本没有影响。
对于问题补充的回答补充：
开关电路和线性电路在电路形式上并没有根本区别，无非是静态工作点、输入信号幅度和电路的电压增益有所差别而已。同一个电路，只要输入信号幅值大、三极管的β值高、集电极电阻取值大，就可能工作在开关状态下，反之就可能工作在线性放大状态下。追问
问什么不是取反？这是怎么看的，为什么你楼上楼下都说是反相……
追答输入和输出信号交流部分的相位是反相的关系，这就体现在表达式中的可变部分-5βV1
。
另外，场效应管的源极和漏极的位置和输出信号是否反相并无关系，而且多数场效应管的源极和漏极是可以互换使用的。
既然谈到了源极和漏极互换的问题，那我就再多问一点。既然可以互换为何还要分源极和漏极？两者的具体区别在哪？
追答在实际工作状态下，源极和漏极所加的电压不同，这就是它们的区别。
再根据Vgs 判断V2，也就是Q8是导通还是夹断。
没有Q8的负载数据，给不出Q8在放大状态的V2表达式。
确定V1是开关信号好办了：V2就是V1取反，即V1高，V2低（接近0V）；V1低则V2高（接近15V）。追问
为什么是取反，按照你楼上的说法应该是正正比
追答Vgs增大时PMOS应该是导通。V1、V2确实是同相。
应该是V1高，V2高（接近15V）， V1低则V2低（接近0V）。
V1高电平时Q10导通，R27上压降约10V（上正下负），即Vgs约等于-10V，符合PMOS管导通要求，所以V2为高电平。
这个电路是开关电路，将TTL电平转换为15V的输出。
V1加载>2V的高电平，三极管导通，PMOS的VGS=-10V，也随即导通，V2=15V；
V1接<0.6V的低电平，三极管截止，VGS=0,PMOS 也截止，V2=0；追问
楼下有的人说是取反，到底是正比还是反相啊
追答V1、V2是同相的。
VGS建立以后，Pmos管就处于导通状态，不用考虑PMOS的电流因素
肯定是反向了，高电平使三极管导通，mos管就关闭了，输出低电平
确定是取反吗？怎么看的？