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直流和射频磁控溅射的区别
射频磁控溅射有什么区别
?
答:
直流
磁控溅射(DC Magnetron Sputtering)
和射频磁控溅射
(RF Magnetron Sputtering)都是物理气相沉积(PVD)技术的一种,用于在基材上沉积薄膜。它们的主要
区别
在于所使用的电源类型和适用的目标材料。电源类型:直流磁控溅射使用直流电源,而射频磁控溅射使用射频电源。目标材料:直流磁控溅射主要用于导电目标材料...
直流溅射
,直流磁控溅射,
射频磁控溅射有什么区别
答:
磁控溅射
方法典型的工作条件为:溅射气压0.5Pa,靶电压600V,靶电流密度20mA/cm2,薄膜沉积速率2mm/min。
直流溅射
需要靶材具有良好的导电性,对于非金属靶材,需要极高的电压,不容易实现,因此
射频溅射
方法出现:将一负电位加在置于绝缘板背面的导体上,在辉光放电的等离子体中,当正离子向导体板加速飞行...
射频溅射
镀膜
与直流溅射
镀膜相比较有何特点
答:
本质
区别
自然就在直流是持续不间断加在上面,
射频
是具有一定的频率(13.56MHz)间隔加在靶上的。详细解释只能去看书,没人会找本书来给你慢慢敲在这里。
直流磁控溅射
只能用导电的靶材(靶材表面在空气中或者溅射过程中不会形成绝缘层的靶材),并不局限于金属。譬如,对于铝靶,它的表面极易形成不导电...
磁控溅射
是
直流
还是
射频
?
答:
直流磁控溅射
一般用于导电型(如金属)靶材的溅射,
射频
一般用于非导电型(如陶瓷)靶材的溅射。直流磁控溅射利用的是直流辉光放电,初始电子加速碰撞Ar形成氩离子和另一个电子 (α过程),而氩离子在电场作用下加速碰撞阴极 (靶材)也会形成二次电子发射 (γ过程),当放电达到稳定后进入辉光放电阶段。射频...
磁控溅射的
分类都有哪些?
答:
磁控溅射是一种制备薄膜的技术,主要用于生产具有
不同
特性和功能的薄膜材料,包括金属、陶瓷、半导体等。磁控溅射可分为以下几种类型:1.
直流
磁控溅射(DC Magnetron Sputtering):在直流电场下,通过以靶材为阴极的方式,产生靶材表面的离子化,再将离子加速后轰击基板,形成相应的薄膜。2.
射频磁控溅射
...
磁控溅射
ITO是用
直流的
好还是
射频的
好
答:
主要的溅射方法可以根据其特征分为以下四种:(1)
直流溅射
;(2)
射频溅射
;(3)
磁控溅射
;(4)反应溅射。另外,利用各种离子束源也可以实现薄膜的溅射沉积。现在的直流溅射(也叫二级溅射)较少用到,原因是溅射气压较高,电压较高,溅射速率小,膜层不稳定等缺点。直流溅射发展后期,人们在其表面加...
磁控溅射的
技术分类
答:
阴极靶由镀膜材料制成,基片作为阳极,真空室中通入0.1-10Pa的氩气或其它惰性气体,在阴极(靶)1-3KV
直流
负高压或13.56MHz的
射频
电压作用下产生辉光放电。电离出的氩离子轰击靶表面,使得靶原子溅出并沉积在基片上,形成薄膜。溅射方法很多,主要有二级溅射、三级或四级溅射、
磁控溅射
、对靶溅射、射频...
什么是
射频磁控溅射
法
答:
1
直流和射频
是对加在靶上的电源所说的。本质
区别
自然就在直流是持续不间断加在上面,射频是具有一定的频率(13.56MHz)间隔加在靶上的。详细解释只能去看书,还不让粘贴,没人会找本书来给你慢慢敲在这里 2 这个说法不对。直流
磁控溅射
只能用导电的靶材(靶材表面在空气中或者溅射过程中不会...
什么是
磁控溅射
?
答:
磁控溅射
是一种物理气相沉积(PVD)工艺,属于真空沉积工艺的一种。这个过程需要一个高真空室来为溅射创造一个低压环境。首先将包含等离子体的气体(通常为氩气)进入腔室。在阴极和阳极之间施加高负电压以启动惰性气体的电离。来自等离子体的正氩离子与带负电的靶材碰撞。高能粒子的每次碰撞都会导致目标表面...
磁控溅射
技术的应用有哪些方面
答:
磁控溅射
技术在许多领域都有广泛的应用,包括:1. **半导体制造**:在半导体设备制造中,磁控溅射常常被用来沉积绝缘层、导电层和金属接触层。例如,可以通过磁控溅射来制备高k介电材料、金属栅极材料、层间介电材料等。2. **光学薄膜**:在光学元件制造中,磁控溅射可以用来制备高质量的抗反射膜、增...
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